[发明专利]MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的制造方法，其中，包括：

在第一衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成功能层；

在所述功能层的表面的键合区上形成金属保护层；

去除部分所述功能层形成第一通道；

经由所述第一通道去除部分所述牺牲层形成空腔，以释放部分所述功能层构成的可移动质量块；

形成第一有机膜，所述第一有机膜覆盖所述金属保护层和所述功能层的表面，还覆盖所述第一通道与所述空腔的内表面；

加热所述第一有机膜，以使所述金属保护层上的第一有机膜的有机分子被破坏；以及

去除所述金属保护层，以暴露所述键合区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在加热所述第一有机膜的步骤中，位于所述功能层的表面、位于所述第一通道与所述空腔的内表面的第一有机膜的有机分子被保留。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述第一有机膜的步骤之前，所述制造方法还包括在所述功能层的表面形成外部焊盘，

所述第一有机膜还覆盖所述外部焊盘，在加热所述第一有机膜的步骤中，所述外部焊盘上的第一有机膜的有机分子被破坏。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，还包括：

在第二衬底的表面形成键合焊盘，所述第二衬底具有凹槽；以及

将所述键合焊盘与所述键合区相对，并将所述第一衬底和所述第二衬底键合。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在将所述第一衬底和所述第二衬底键合的步骤之前，所述制造方法还包括：

形成第二有机膜，所述第二有机膜覆盖所述键合焊盘的表面与所述凹槽的内表面；

加热所述第二有机膜，以使所述键合焊盘上的第二有机膜的有机分子被破坏；以及

去除部分所述键合焊盘，以去除所述键合焊盘上的第二有机膜。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述键合焊盘包括：

位于所述第二衬底的表面的第一金属层；以及

位于所述第一金属层表面的第二金属层，

去除部分所述键合焊盘的步骤包括去除部分所述第二金属层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述功能层的材料包括多晶硅，将所述第一衬底和所述第二衬底键合的步骤包括将所述第一金属层、所述第二金属层以及所述键合区的功能层共晶键合。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述第一金属层的材料包括Al，所述第二金属层的材料包括Ge，

所述第一金属层与所述第二金属层在共晶键合后形成Al/Ge共晶层。

9.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述第二衬底包括延伸部，在将所述第一衬底和所述第二衬底键合的步骤之后，所述延伸部覆盖所述外部焊盘，

所述制造方法还包括去除所述延伸部以暴露所述外部焊盘。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在去除所述延伸部的步骤之后，所述制造方法还包括：

去除部分未被所述第二衬底覆盖的功能层形成开口，以将被所述第二衬底覆盖的功能层与承载所述外部焊盘的功能层分隔。

11.根据权利要求1-10任一项所述的制造方法，其中，所述第一衬底、所述牺牲层以及所述功能层的材料包括硅元素。

12.一种MEMS器件，其中，采用如权利要求1-11任一项所述的制造方法形成。