[发明专利]一种语音识别方法及所基于的语音识别传感器的制备方法

权利要求书

1.一种语音识别方法，其特征在于，所基于的语音识别传感器结构包括：硅基片、硅基片上方的二氧化硅层、二氧化硅层上表面的第一电极和第二电极、第一电极和第二电极之间的二氧化硅层上表面的聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜、聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜上的被聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜包裹的多个二氧化硅微球、以及聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜上表面上的氧化石墨烯量子点薄膜；

基于所述语音识别传感器的语音识别方法，包括：

A1、将语音识别传感器与定值电阻串联；

A2、将语音识别传感器置于口腔附近，感知不同单词语音气流的湿度变化信号；

A3、采集所述的定值电阻两端的电压信号作为所述的不同单词语音气流的湿度变化信号；

A4、基于不同单词语音气流的湿度变化信号的差异，利用语音识别算法，对不同单词进行语音识别。

2.根据权利要求1所述的一种语音识别方法，其特征在于，所述第一电极与第二电极上表面还包括：聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜、聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜上的被聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜包裹的多个二氧化硅微球、以及聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜上表面上的氧化石墨烯量子点薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种语音识别方法，其特征在于，所述第一电极与第二电极呈梳齿状且交错排列，即相邻的第一电极之间设有第二电极，相邻的第二电极之间设有第一电极。

4.根据权利要求3所述的一种语音识别方法，其特征在于，所述相邻第一电极与第二电极之间的间距小于或等于20微米。

5.根据权利要求1所述的一种语音识别方法，其特征在于，所述氧化石墨烯量子点粒径小于或等于20纳米。

6.根据权利要求1所述的一种语音识别方法，其特征在于，所述二氧化硅微球粒径为10～10000纳米。

7.根据权利要求1所述的一种语音识别方法，其特征在于，步骤A2中语音识别传感器置于口腔水平位置前端50cm范围内。

8.根据权利要求1所述的一种语音识别方法，其特征在于，所述的定值电阻在1MΩ到1000MΩ之间。

9.一种权利要求1-8任意一项权利要求所述的语音识别传感器的制备方法，其特征在于，包括：

S1、在浓度为0.1～10.0毫克/毫升的二氧化硅微球溶液加入浓度为0.1～10.0毫克/毫升的聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，超声处理2～5小时，得到均匀的混合溶液，并使得二氧化硅微球表面附着包裹一层聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜；

S2、在硅基片表面沉积一层二氧化硅层，然后采用真空镀膜法结合光刻工艺在二氧化硅层表面形成第一电极与第二电极，得到电极基片；

S3、将步骤S2得到的电极基片浸入步骤S1所述的混合溶液中浸泡10～20分钟，使第一电极和第二电极之间的二氧化硅层表面附着一层聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜及多个表面附着包裹了聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜的二氧化硅微球；

S4、将步骤S3得到的电极基片在去离子水中刷洗1～5分钟，去除未牢固附着在第一电极和第二电极之间的二氧化硅层表面的聚二烯丙基二甲基氯化铵和二氧化硅微球；

S5、将经步骤S4处理后的电极基片放置于不高于50℃的烘箱中静置1～2小时，进行干燥处理；

S6、将经步骤S5处理后的电极基片浸入浓度为0.2～12.0毫克/毫升的氧化石墨烯量子点分散液中浸泡5～15分钟，通过静电力在二氧化硅层与二氧化硅微球表面的聚二烯丙基二甲基氯化铵薄膜的表面吸附一层氧化石墨烯量子点薄膜；

S7、将步骤S6得到的电极基片在去离子水中涮洗1～30分钟，去除掉未牢固吸附到支撑层表面的氧化石墨烯量子点；

S8、将步骤S7得到的电极基片放置于不高于50℃的烘箱中静置1～2小时，进行干燥处理。