[发明专利]掩膜版、其图形修正方法、存储介质及器件制备方法在审
申请号: | 202110070645.2 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN112731756A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 吴维维;谢翔宇 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈敏 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 图形 修正 方法 存储 介质 器件 制备 | ||
1.一种掩膜版,其特征在于,包括至少一个沿第一预设方向的倾斜阶梯状图案;
其中,所述倾斜阶梯状图案包括分别位于所述倾斜阶梯状图案沿所述第一预设方向的两侧的第一阶梯状轮廓和第二阶梯状轮廓;
所述第一阶梯状轮廓包括多个第一直角拐点,所述第二阶梯状轮廓包括多个第二直角拐点;
所述倾斜阶梯状图案中,所述第一直角拐点和所述第二直角拐点交错设置。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述倾斜阶梯状图案中,任意两个偶数位或任意两个奇数位的所述第一直角拐点之间的连线的延伸方向与所述第一预设方向相同;
所述倾斜阶梯状图案中,任意两个偶数位或任意两个奇数位的所述第二直角拐点之间的连线的延伸方向与所述第一预设方向相同。
3.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第一阶梯状轮廓的各个台阶高度相同。
4.根据权利要求3所述的掩膜版,其特征在于,所述第二阶梯状轮廓的各个台阶高度相同。
5.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述第一阶梯状轮廓的台阶高度与所述第二阶梯状轮廓的台阶高度相同。
6.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版中,所述倾斜阶梯状图案的数量为多个,且各个所述倾斜阶梯状图案彼此间隔且平行;
相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓对齐设置。
7.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版中,所述倾斜阶梯状图案的数量为多个,且各个所述倾斜阶梯状图案彼此间隔且平行;
相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓交错设置。
8.根据权利要求7所述的掩膜版,其特征在于,各个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓沿第二预设方向依次交错设置,且相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓沿所述第二预设方向的交错距离相同。
9.一种掩膜版的图形修正方法,其特征在于,包括:
提供目标图案;其中,所述目标图案包括至少一个沿第一预设方向的倾斜图案,每个所述倾斜图案包括分别位于所述倾斜图案沿所述第一预设方向的两侧的第一轮廓和第二轮廓;
在所述第一轮廓上设置多个间隔设置的第一采样点,在所述第二轮廓上设置多个间隔设置的第二采样点;
根据所述第一采样点,在所述第一轮廓上设置多个第一参考矩形,并根据所述第二采样点,在所述第二轮廓上设置多个第二参考矩形;其中,所述第一参考矩形以相邻两个所述第一采样点为对角点,所述第二参考矩形以相邻两个所述第二采样点为对角点;
将所述第一参考矩形沿第二预设方向向所述倾斜图案的中心轴移动第一预设距离,得到第三参考矩形;
将所述第二参考矩形沿第三预设方向向所述倾斜图案的中心轴移动第二预设距离,得到第四参考矩形;其中,所述第二预设方向与所述第三预设方向相反;
在所述第三参考矩形和所述第四参考矩形内填充图案,以分别形成第一矩形图案和第二矩形图案,以对所述倾斜图案进行修正,得到倾斜阶梯状图案;其中,所述倾斜阶梯状图案包括所述第一矩形图案和第二矩形图案,以及位于所述第一矩形图案和所述第二矩形图案之间的倾斜图案部分;所述倾斜阶梯状图案中,所述第一矩形图案和所述第二矩形图案交错设置。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:
去除所述倾斜图案两侧边缘未被所述第一矩形图案和所述第二矩形图案覆盖的倾斜图案部分。
11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述倾斜图案中,所述第一采样点和所述第二采样点以所述倾斜图案的中心轴为对称轴对称设置。
12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一参考矩形的长边或短边平行于所述第二预设方向。
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