[发明专利]一种晶圆级计量标准器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110069987.2 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112881960A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 饶张飞;秦凯亮;金红霞 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00;G01B21/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 计量 标准 及其 制备 方法 | ||
1.一种晶圆级计量标准器，其特征在于，包括晶圆，晶圆上设有多晶硅薄膜；
多晶硅薄膜上设有图形区域(2)，图形区域(2)外围设有一级引导标记(3)；
图形区域(2)包括二维栅格标准图形区域(4)和位于其外围的二级引导标记(5)；
二维栅格标准图形区域(4)内设有一个或多个标准图形。
2.根据权利要求1所述的晶圆级计量标准器，其特征在于，图形区域(2)为一个或多个。
3.根据权利要求1所述的晶圆级计量标准器，其特征在于，一级引导标记(3)为线条状或方块状。
4.根据权利要求1所述的晶圆级计量标准器，其特征在于，所述标准图形包括网格型二维栅格结构标准图形、横纵二维栅格结构标准图形和梳型二维栅格结构标准图形。
5.根据权利要求4所述的晶圆级计量标准器，其特征在于，所述梳型二维栅格的横向、纵向分别由尺寸相等的线条及栅格组成。
6.一种晶圆级计量标准器的制备方法，其特征在于，包括：
在裸硅晶圆表面制备多晶硅薄膜；
利用i线光刻工艺及刻蚀工艺在所述多晶硅薄膜上刻蚀一级引导标记(3)；
在刻蚀有一级引导标记(3)的晶圆表面使用掩膜版通过DUV光刻工艺将二级引导标记(5)和标准图形显露出；
光刻完成后采用反应离子刻蚀法进行刻蚀二级引导标记(5)和标准图形。
7.根据权利要求6所述的晶圆级计量标准器的制备方法，其特征在于，采用低压化学气相淀积制备多晶硅薄膜。
8.根据权利要求6所述的晶圆级计量标准器的制备方法，其特征在于，刻蚀一级引导标记(3)的具体操作为：
在多晶硅薄膜进行光刻工艺，即依次进行涂胶、曝光和显影，将一级引导标记(3)显露出；
光刻完成后采用反应离子刻蚀法进行刻蚀一级引导标记(3)。
9.根据权利要求8所述的晶圆级计量标准器的制备方法，其特征在于，一级引导标记(3)的光刻过程采用AZ4620光刻胶，光刻胶的厚度为20um；
涂胶完成后调节光刻机挡板位置形成十字形，进行一次曝光；
之后将晶圆旋转45°，进行二次曝光。
10.根据权利要求6所述的晶圆级计量标准器的制备方法，其特征在于，二级引导标记(5)和标准图形的光刻过程采用AZ4620正性光刻胶，光刻胶的厚度为20um。
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