[发明专利]一种反应堆单晶硅辐照控制系统

权利要求书

1.一种反应堆单晶硅辐照控制系统，其特征在于，包括辐照装置、传感装置、控制装置；

所述辐照装置包括：竖直设置的反应堆堆芯辐照孔道(16)、待辐照的单晶硅；

传感装置包括：沿反应堆堆芯辐照孔道(16)的i个高度设置了对应的i个中子探测器；i大于或等于2；

i个高度包括：沿反应堆堆芯辐照孔道(16)竖直方向从下往上依次设置的第1高度、第2高度、…、第N高度、第N+1高度、…、第i高度，第1高度、第2高度、…、第N高度、第N+1高度、…、第i高度对应的瞬时中子注量率依次变小；

控制装置包括：主控计算机(10)、单晶硅位置控制装置；

主控计算机(10)：

在单晶硅位于第N高度时、用“位于第N高度的第N中子探测器的瞬时中子注量率ZLL_N”进行积分、得到“单晶硅位于第N高度时的辐照积分总通量ZTL_j，N”；

根据“单晶硅位于第N高度时的辐照积分总通量ZTL_j，N”、…、“单晶硅位于第N-1高度时的辐照积分总通量ZTL_j，N-1”、…、“单晶硅位于第1高度时的辐照积分总通量ZTL_j，1”求和、得到“单晶硅已获辐照总中子通量Z_N”；

若“单晶硅已获辐照总中子通量Z_N”达到“第N阈值”时，输出由第N高度移动到第N+1高度的“第N提位位移指令”；

主控计算机(10)：预存有“致使中子辐照嬗变掺杂掺杂浓度达到目标值时、单晶硅所需辐照总中子通量阈值”，预存有至少1个提位阈值，所有提位阈值均小于“致使中子辐照嬗变掺杂掺杂浓度达到目标值时、单晶硅所需辐照总中子通量阈值”；“第N阈值”为提位阈值中的一个；

单晶硅位置控制装置：用于根据每次提位位移指令控制单晶硅逐级提升高度、直到单晶硅移出反应堆堆芯辐照孔道(16)。

2.根据权利要求1所述的一种反应堆单晶硅辐照控制系统，其特征在于，

主控计算机(10)：

在单晶硅位于照前高度时、主控计算机(10)向单晶硅位置控制装置发出“初始高度位移指令”；

单晶硅位置控制装置根据“初始高度位移指令”、控制单晶硅从反应堆堆芯辐照孔道(16)外的照前高度移动到反应堆堆芯辐照孔道(16)内的初始高度。

3.根据权利要求2所述的一种反应堆单晶硅辐照控制系统，其特征在于，

初始高度对应于第1高度。

4.根据权利要求2所述的一种反应堆单晶硅辐照控制系统，其特征在于，

初始高度：为反应堆堆芯辐照孔道(16)内“中子注量均匀分布度最佳段”所在高度；

初始高度由主控计算机(10)生成：

每个高度上设置有J个沿反应堆堆芯辐照孔道(16)内壁设置的中子探测器；

主控计算机(10)根据每个高度的J个中子探测器而获得的J个瞬时中子注量率、拟合出每个高度所对应的中子注量均匀分布度；主控计算机(10)选出中子注量均匀分布度最佳的一段作为“中子注量均匀分布度最佳段”，主控计算机(10)根据“中子注量均匀分布度最佳段”对应的高度作为初始高度，“初始高度位移指令”的内容包含初始高度。

5.根据权利要求2所述的一种反应堆单晶硅辐照控制系统，其特征在于，

初始高度：为反应堆堆芯辐照孔道(16)内“中子注量均匀分布度最佳段”所在高度；

初始高度由主控计算机(10)生成；

主控计算机(10)根据每个高度的中子探测器获得的瞬时中子注量率、拟合出整个反应堆堆芯辐照孔道(16)的中子注量分布；主控计算机(10)从中子注量分布中标记均匀度最佳的一段作为“中子注量均匀分布度最佳段”，主控计算机(10)根据“中子注量均匀分布度最佳段”对应的高度作为初始高度，“初始高度位移指令”的内容包含初始高度。

6.根据权利要求2所述的一种反应堆单晶硅辐照控制系统，其特征在于，

主控计算机(10)输出的指令包括：依时间先后次序的“初始高度位移指令”、“第1提位位移指令”、…、“第N提位位移指令”、“第N+1提位位移指令”、…“第i提位位移指令”。