[发明专利]透明导电电极

说明书

本发明提供了一种透明导电电极，包括基板、位于所述基板上的电极层，所述电极层包括：第一区域，具有若干互连的银纳米线；第二区域，具有若干被切断的银纳米线，被切断的银纳米线中相邻的两段银纳米线之间的间距不大于200nm。第二区域中，相邻的两段银纳米线之间的间距不大于200nm，银纳米线的蚀刻痕较浅，第一区域与第二区域的光学性质差异较小，且在外观上的视觉差异非常小，由其制备的显示屏外观基本一致。

技术领域

本发明涉及透明导电电极制备领域，尤其涉及一种透明导电电极。

背景技术

在触摸屏、光电、显示屏等领域，透明导电膜主要使用的是金属氧化物，如氧化铟锡（ITO）材料。然而ITO导电膜需要通过真空物理沉积及高温退火工艺制备，所以制备以聚合物薄膜为基底的导电膜时，存在方阻较高的缺点。此外由于ITO材料在弯曲和外力影响下容易破碎损坏，所以也较难应用于柔性的设备中。

目前一种可替代ITO薄膜作为透明导电电极材料的产品是银纳米线导电薄膜，银纳米线导电薄膜可以通过涂布的方式制备，从制备工艺上可以不使用昂贵的真空设备，所以在成本上相比较于ITO产品有优势。另外作为纳米材料的银纳米线能够被弯折，在柔性器件上的应用也占有优势。所以在市场前景上，银纳米线薄膜具有取代ITO薄膜作为主要透明导电薄膜产品的潜质。

然而，在实际的应用领域，需要对银纳米线导电膜进行图案化，目前的银纳米线薄膜存在蚀刻痕较深的缺点。蚀刻痕深的主要原因是银作为金属材料，存在着对光的散射及反射。当银纳米线薄膜被蚀刻后，蚀刻区与非蚀刻区对光的不同散射和反射会有差异。这种光学上的差异是可能由于蚀刻后银纳米线表面发生了化学反应，例如氧化和硫化，那么银纳米线表面的光学性质发生了改变。也有可能银纳米线直接被氧化成银离子，造成银纳米线密度下降或线变细。

有鉴于此，有必要提供一种改进的透明导电电极，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种透明导电电极。

为实现上述发明目的之一，本发明采用如下技术方案：

一种透明导电电极，包括基板、位于所述基板上的电极层，所述电极层包括：第一区域，具有若干互连的银纳米线；第二区域，具有若干被切断的银纳米线；被切断的银纳米线中相邻的两段银纳米线之间的间距不大于200nm。

进一步地，被切断的银纳米线中相邻的两段银纳米线之间的间距不大于20nm。

进一步地，所述第一区域单位面积内银纳米线的数量与所述第二区域单位面积内银纳米线的数量变化不大于10%；优选地，第一区域单位面积内银纳米线的数量与第二区域单位面积内银纳米线的数量变化不大于5%。

进一步地，所述第一区域单位面积内银纳米线的长度与所述第二区域单位面积内银纳米线的长度变化不大于5%；优选地，第一区域单位面积内银纳米线的长度与第二区域单位面积内银纳米线的长度变化不大于1%。

进一步地，所述第一区域单位面积内银纳米线的直径与所述第二区域单位面积内银纳米线的直径变化不大于5%；优选地，第一区域单位面积内银纳米线的直径与第二区域单位面积内银纳米线的直径变化不大于1%。

进一步地，所述第一区域与所述第二区域的电学差值不小于10^3Ω/□；优选地，所述第一区域与所述第二区域的电学差值不小于10^6Ω/□，优选地所述第一区域与所述第二区域的电学差值不小于10^8Ω/□。

进一步地，所述第一区域与所述第二区域的雾度差值为△H±1%；优选地，所述第一区域与所述第二区域的雾度差值为△H±0.5%；优选地，所述第一区域与所述第二区域的雾度差值为△H±0.1%。

进一步地，所述第一区域与所述第二区域的透过率差值为△T±1%；优选地，所述第一区域与所述第二区域的透过率差值为△T±0.5%；优选地，所述第一区域与所述第二区域的透过率差值为△T±0.1%。