[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜的制备方法，所述方法包括：

在透明基材表面制备第一导电层：

在透明基材的表面沉积一层导电氧化物，然后退火处理得到所述第一导电层，其中，退火温度为120～170℃，退火时间为20～40min；

在第一导电层的表面制备第二导电层：

将导电材料涂覆、沉积或者打印在所述第一导电层的表面，形成含有图案的所述第二导电层；

在第二导电层表面制备第三导电层：

在所述第二导电层的表面沉积一层导电氧化物，形成所述第三导电层，无需再对第三导电层退火。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，其中，所述第一导电层和所述第三导电层的成膜方法包括：磁控溅射法、化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法、反应等离子体沉积或者原子层沉积法。

3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，其中，所述第二导电层的制备过程为：

通过狭缝涂布模具将纳米金属线浆料涂覆于所述第一导电层的表面，经固化后形成第二导电层；其中，固化温度为100～140℃，固化时间为8～15min，所述纳米金属线浆料的浓度为5～10mg/ml，所述纳米金属线的长度为10～25μm，直径为20～40nm，所述纳米金属线选自纳米银线或纳米金线；

或者，将含有导电材料的墨水打印于所述第一导电层的表面，经干燥后形成导电材料线条；其中，所述墨水的固含量为10％～20％，所述导电材料线条的线宽为1～100μm；

或者，通过磁控溅射法在所述第一导电层的表面溅射一层金属膜，后经化学刻蚀后得到金属线条；其中，所述金属线条的线宽为10～100μm。

4.一种根据权利要求1～3中任一项所述的方法制备的透明导电薄膜，其由下至上依次包括透明基材、第一导电层、第二导电层和第三导电层，其中，所述第一导电层和所述第三导电层中各自独立地含有导电氧化物，所述第二导电层中含有金属或碳材料，所述第一导电层的厚度为25～100nm，所述第二导电层的厚度为50～150nm，所述第三导电层的厚度为5～50nm；所述透明导电薄膜的透光率为85％～90％，雾度为0.9％～1.2％，方阻为0.1～8Ω/sq。

5.根据权利要求4所述的透明导电薄膜，其中，所述第一导电层和所述第三导电层中的导电氧化物各自独立地选自FTO、ITO、IWO、AZO、氧化锌和二氧化锡中的任一种。

6.根据权利要求4所述的透明导电薄膜，其中，所述金属选自铝、银、铜、纳米金或纳米银中的任一种，所述碳材料选自石墨烯。

7.根据权利要求4所述的透明导电薄膜，其中，所述透明基材选自玻璃、PET、PEN和PI中的任一种，所述玻璃透明基材的厚度为0.3～5mm；所述PET、PEN或PI透明基材的厚度为0.025～0.3mm。

8.根据权利要求4所述的透明导电薄膜，其中，所述第二导电层为含有连续线条状图案的导电层或含有连续网格状图案的导电层。

9.根据权利要求8所述的透明导电薄膜，其中，所述第二导电层中，线条状的导电材料的面积占所述透明导电薄膜平面的表面积的0.01％～5％。