[发明专利]半导体管芯的前侧或背侧互连的附加制造

权利要求书

1.一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，所述方法包括：

-(110)提供半导体晶体管管芯，所述半导体晶体管管芯包括在第一下主面上的第一接触焊盘和在上主面上的第二接触焊盘；

-(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且还向所述第一接触焊盘上制造背侧电导体；以及

-(130)施加覆盖所述半导体管芯、以及所述前侧电导体的至少一部分的包封体，其中

-所述前侧电导体和/或所述背侧电导体是通过金属结构的激光辅助结构化来制造的。

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，

制造所述前侧电导体和/或所述背侧电导体包括：

i.向所述第二接触焊盘和/或所述第一接触焊盘上沉积金属材料，以及

ii.用激光束照射所述金属材料的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的方法(100)，还包括：

通过将另一金属材料施加到所制造的金属结构上并且用所述激光束照射所述另一金属材料的至少一部分来重复步骤i.和ii.。

4.根据权利要求2或3所述的方法(100)，其中，

所述金属材料是以金属粉末或金属球或块的形式沉积的。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，其中，

在制造所述电导体之前，没有层、特别是没有焊料层被沉积到所述第二接触焊盘和/或所述第一接触焊盘上。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，其中，

所述半导体管芯是宽带隙半导体管芯、SiC管芯或GaN管芯中的一个或多个。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，其中，

所述半导体晶体管管芯是功率半导体晶体管管芯或晶闸管管芯，所述功率半导体晶体管管芯特别是功率IGBT管芯或功率MOSFET管芯。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，还包括：

施加所述包封体，使得所述金属结构的上表面至少部分地不被所述包封体覆盖。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，其中，

所述半导体晶体管管芯包括在所述上主面上的一个或多个另外的接触焊盘，其中，所述方法还包括：还通过金属结构的激光辅助结构化在一个或多个所述另外的接触焊盘上制造电导体。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，还包括：

在制造所述金属结构之前，将阻挡层或包括两个或更多个阻挡层的阻挡层堆叠体设置到所述第二接触焊盘和/或所述第一接触焊盘上。

11.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，还包括：

提供管芯载体并将所述半导体管芯设置到所述管芯载体上。

12.一种半导体管芯封装(10；30)，包括：

-半导体晶体管管芯(12；32)，所述半导体晶体管管芯(12；32)包括在第一下主面上的第一接触焊盘(12.1)和/或在上主面上的第二接触焊盘(12.2)；

-电导体(13；33.1)，所述电导体(13；33.1)设置在所述第二接触焊盘(12.2)上并且是通过金属材料的激光辅助结构化来制造的；以及

-覆盖所述半导体管芯(12；32)、以及所述电导体(13；33.1)的至少一部分的包封体(14)。

13.根据权利要求12所述的半导体管芯封装(10；30)，还包括：

管芯载体(11；31)，其中，所述半导体管芯(12；32)设置在所述管芯载体(11；31)上。