[发明专利]闪存芯片可靠性等级预测方法、装置及存储介质

说明书

本发明公开了一种闪存芯片可靠性等级预测方法、装置及存储介质。其中方法包括：对待预测闪存芯片进行闪存操作，并在闪存操作过程中采集待预测闪存芯片的至少一种特征量；对待预测闪存芯片的至少一种特征量进行运算操作，得到待预测闪存芯片的特征运算值，依据待预测闪存芯片的特征量和待预测闪存芯片的特征运算值，建构待预测闪存芯片的数据集合；将待预测闪存芯片的数据集合中的第一子集输入到第一闪存可靠性等级预测模型的优化程序中，并对第一闪存可靠性等级预测模型进行参数调整，得到第二闪存可靠性等级预测模型；将待预测闪存芯片数据集合中的第二子集输入到第二闪存可靠性等级预测模型中，得到待预测闪存芯片的可靠性等级的第一预测结果。上述方法可以提高闪存芯片可靠性等级的预测准确度。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其是涉及一种闪存芯片可靠性等级预测方法、装置、存储介质及计算机设备。

背景技术

存储器作为数据存储的载体，早已出现在现代电子产品的各个角落，并成为电子系统中不可或缺的一部分。在存储器领域，闪存扮演着十分重要的角色。闪存是一种非易失性存储器，在许多方面有其独特的优点，如：能长时间保存数据、数据传输速度快、存储容量较大等等。因此，闪存在通信、消费、工业控制、军事等领域出现的频率越来越高，也越来越受到重视。

但闪存也有其不可忽视的缺点。其中，可靠性问题便是闪存最主要的问题之一。闪存因为其独特的物理结构，导致其在使用过程中，存储单元的氧化层结构会遭受到磨损，这种磨损是不可逆的，一旦磨损程度超过一定限度，就会在数据存储过程中，出现数据比特错误，闪存运行时产生的这种无法纠正的数据错误将会影响到整个存储系统的正常使用。因此，在存储系统中，往往会加入纠错算法，来纠正因可靠性问题导致的数据比特错误。但是，纠错算法存在错误上限，一旦闪存存储块内发生磨损的存储单元数量超过一定限度，纠错算法就会无法完全纠错，即纠错后的数据仍将出现比特错误。这种情况的发生将会严重地危害通信、消费、工业控制、军事等领域的信息安全，甚至造成不可估计的损失。

基于以上的原因，目前就出现了一些预测闪存可靠性等级的方法，通过这些方法，可以使用户了解闪存内部的损耗情况，并及时做出存储策略调整，从而延长闪存的使用寿命，以及避免因存储器中突发性的闪存数据错误增加而导致的损失。但是，由于闪存芯片之间存在一定差异，这就导致了闪存芯片可靠性等级预测难以达到较高的准确度。因此，如何提高闪存芯片可靠性等级预测的准确度，成为目前亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种闪存芯片可靠性等级预测方法、装置、存储介质及计算机设备，主要目的在于解决现有闪存芯片可靠性等级预测方法的预测准确度较差的技术问题。

根据本发明的第一个方面，提供了一种闪存芯片可靠性等级预测方法，该方法包括：

对待预测闪存芯片进行闪存操作，并在闪存操作过程中采集待预测闪存芯片的至少一种特征量；

对待预测闪存芯片的至少一种特征量进行运算操作，得到待预测闪存芯片的特征运算值，依据待预测闪存芯片的特征量和待预测闪存芯片的特征运算值，建构待预测闪存芯片的数据集合；

将待预测闪存芯片的数据集合中的第一子集输入到第一闪存可靠性等级预测模型的优化程序中，并对第一闪存可靠性等级预测模型进行参数调整，得到第二闪存可靠性等级预测模型；

将待预测闪存芯片数据集合中的第二子集输入到第二闪存可靠性等级预测模型中，得到待预测闪存芯片的可靠性等级的第一预测结果。