[发明专利]基于氧化镓能带调控的同质结光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于氧化镓能带调控的同质结光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）清洗衬底；

（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在衬底上沉积无定形Ga₂O₃薄膜；

（3）采用等离子体增强化学气相沉积技术在无定形Ga₂O₃薄膜上沉积β相Ga₂O₃薄膜；

（4）采用磁控溅射技术分别在无定形Ga₂O₃薄膜和β相Ga₂O₃薄膜上溅射接触电极；

（5）采用高温退火技术，让两个接触电极分别与无定形Ga₂O₃薄膜和β-Ga₂O₃薄膜形成欧姆接触；

步骤（2）中，等离子体增强化学气相沉积所用的镓源为三乙基镓，生长所需的气体为氮气和氧气，气体流量分别为15和3~8 sccm；无定形Ga₂O₃薄膜氧空位为48%以上；

步骤（3）中，等离子体增强化学气相沉积所用的镓源为三乙基镓，生长所需的气体为氮气和氧气，气体流量分别为15和20~10 sccm；β相Ga₂O₃薄膜（3）氧空位为37%以下。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，生长温度为400~600℃，生长厚度为100~200纳米。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，生长温度为400~600℃，生长厚度为30~60纳米。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所用高温退火技术所需温度为300~400℃，时间为10~30分钟，通入的气体为氮气。