[发明专利]一种可组合式的三维多芯片封装结构

权利要求书

1.一种可组合式的三维多芯片封装结构，其特征在于，包括层叠设置的上转接板(11)和下转接板(13)；上转接板(11)和下转接板(13)之间留有间隙；

所述的上转接板(11)靠近下转接板(13)的侧面设有上再布线层(12)；上转接板(11)上端面设有电磁屏蔽层(15)，上再布线层(12)中部向上转接板(11)内延伸后设置第一芯片(21)；上转接板(11)靠近边缘位置设有垂直贯通的Via，在第一芯片(21)底部设置若干Via连通上再布线层(12)下端面；所述的电磁屏蔽层(15)通过任一Via下引接地，用于将其下方的所有芯片与实际应用中位于其上方的天线辐射进行电性隔离；

所述的下转接板(13)靠近上转接板(11)的侧面设有下再布线层(14)；下再布线层(14)靠近下转接板(13)边缘的部分向下转接板(13)内部凹陷，分别设置第二芯片(22)和第三芯片(23)，使第二芯片(22)和第三芯片(23)均与所述第一芯片(21)在垂直方向上错开；下转接板(13)设有若干Via分别通过焊球对应连通上转接板(11)的所有Via；

所述第一芯片(21)的边缘部分，与所述第二芯片(22)和所述第三芯片(23)的边缘部分略有重叠，但中心有源区保持非重合状态；

所述的第一芯片(21)利用金属互连通过任一Via与第二芯片(22)和第三芯片(23)电性连接；

上再布线层(12)和/或下再布线层(14)内分别设有无源器件；所述的下转接板(13)在第二芯片(22)和第三芯片(23)的下方镂空后用热沉(33)封装；所述的下转接板(13)在下表面设有凹槽，位于下转接板(13)的焊球均设置在凹槽内；

所述的第一芯片(21)是硅基芯片，第二芯片(22)和第三芯片(23)是GaN或GaAs射频芯片。

2.根据权利要求1所述可组合式的三维多芯片封装结构，其特征在于，下转接板(13)靠近边缘位置设有从下再布线层(14)垂直延伸至下端面的Via。

3.根据权利要求1所述可组合式的三维多芯片封装结构，其特征在于，所述的无源器件是电阻、电感、电容中任意一种或任意组合。

4.根据权利要求1-3任一所述可组合式的三维多芯片封装结构，其特征在于，各Via是TSV或TGV。