[发明专利]使用相同功函数材料的复合功函数层的形成

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在半导体区上形成栅极电介质层；

使用第一含铝前驱物沉积第一含铝功函数层，其中所述第一含铝功函数层在所述栅极电介质层上方；

使用不同于所述第一含铝前驱物的第二含铝前驱物沉积第二含铝功函数层，其中所述第二含铝功函数层沉积在所述第一含铝功函数层上方；以及

在所述第二含铝功函数层上方形成传导区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一含铝功函数层和所述第二含铝功函数层两者均包含TiAlC。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一含铝功函数层被沉积为具有比所述第二含铝功函数层更高的铝原子百分比。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一含铝前驱物包括三乙基铝(TEA)，并且所述第二含铝前驱物包括三叔丁基铝(TTBA)或三甲基铝(TMA)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二含铝前驱物包括TTBA，并且所述方法还包括在所述第二含铝功函数层上方沉积第三含铝功函数层，并且所述第三含铝功函数层使用包括TMA的第三含铝前驱物沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一含铝前驱物包括三叔丁基铝(TTBA)，并且所述第二含铝前驱物包括三甲基铝(TMA)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一含铝功函数层和所述第二含铝功函数层两者均使用原子层沉积来沉积。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一含铝功函数层的第一每循环厚度大于所述第二含铝功函数层的第二每循环厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一含铝功函数层和所述第二含铝功函数层在相同的温度下沉积，并且在两者间没有真空中断的情况下原位沉积。

10.一种器件，其包括：

半导体区；

在所述半导体区上方的栅极电介质；

在所述栅极电介质上方的功函数层，其中所述功函数层包含TiAlC，并且其中所述功函数层包括：

顶部部分，其中所述顶部部分具有第一铝原子百分比；和

底部部分，其中所述底部部分具有第二铝原子百分比，并且其中所述第一铝原子百分比小于所述第二铝原子百分比；以及

在所述功函数层上方的胶层。