[发明专利]半导体晶片及其分离方法、半导体芯片和半导体封装

权利要求书

1.一种半导体晶片，所述半导体晶片包括：

第一芯片区域和第二芯片区域，所述第一芯片区域和所述第二芯片区域在第一方向上通过第一划片道区域彼此隔开；

第一测试焊盘，所述第一测试焊盘设置在所述第一划片道区域中；以及

保护层，所述保护层设置在所述第一芯片区域、所述第二芯片区域和所述第一划片道区域上，并且部分覆盖所述第一划片道区域，

其中，所述保护层覆盖所述第一测试焊盘的与所述第一芯片区域相邻的部分，并且使所述第一测试焊盘的剩余部分暴露。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述第一测试焊盘被配置为评估所述第一芯片区域的特性。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述第一测试焊盘与所述第一芯片区域电隔离。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述第一测试焊盘与在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的切割线交叠。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中：

所述第一芯片区域包括与所述第一划片道区域相邻的第一侧和位置与该第一侧相对的第二侧；并且

所述第二芯片区域包括与所述第一划片道区域相邻的第二侧和位置与该第二侧相对的第一侧，

所述半导体晶片还包括：

第一芯片焊盘，所述第一芯片焊盘设置在所述第一芯片区域的第二侧的边缘；以及

第二芯片焊盘，所述第二芯片焊盘设置在所述第二芯片区域的第二侧的边缘。

6.根据权利要求5所述的半导体晶片，其中，所述第一芯片焊盘和所述第二芯片焊盘是引线接合焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中：

所述第一芯片区域包括与所述第一划片道区域相邻的第一侧和位置与该第一侧相对的第二侧；并且

所述第二芯片区域包括与所述第一划片道区域相邻的第二侧和位置与该第二侧相对的第一侧，

所述半导体晶片还包括：

第二划片道区域，所述第二划片道区域在所述第一方向上与所述第二芯片区域的第一侧相邻；以及

第二测试焊盘，所述第二测试焊盘设置在所述第二划片道区域中，并且被配置为评估所述第二芯片区域的特性，

其中，所述保护层覆盖所述第二测试焊盘的与所述第二芯片区域的第一侧相邻的部分，并且使所述第二测试焊盘的剩余部分暴露。

8.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述第一测试焊盘包括在不同于所述第一方向的第二方向上彼此分离的两个或更多个部分。

9.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述保护层包括聚合物基的绝缘材料。

10.一种分离半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：

提供半导体晶片，所述半导体晶片包括：第一芯片区域和第二芯片区域，所述第一芯片区域和所述第二芯片区域在第一方向上通过第一划片道区域彼此隔开；第一测试焊盘，所述第一测试焊盘设置在所述第一划片道区域中；以及保护层，所述保护层部分覆盖所述第一芯片区域、所述第二芯片区域和所述第一划片道区域，并且覆盖所述第一测试焊盘的与所述第一芯片区域相邻的部分，并且使所述第一测试焊盘的剩余部分暴露；以及

将所述半导体晶片切割成包括所述第一芯片区域的第一半导体芯片和包括所述第二芯片区域的第二半导体芯片，

其中，切割所述半导体晶片的步骤包括以下步骤：在所述第一测试焊盘保持与所述第一半导体芯片联接的情况下将所述第一测试焊盘与所述第二半导体芯片分离。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，沿在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且与所述第一测试焊盘交叠的切割线来执行所述切割所述半导体晶片的步骤。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述切割所述半导体晶片的步骤使所述第一测试焊盘保持完整无损。