[发明专利]高带宽内存结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高带宽内存结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成基板，在基板上附连芯片；

形成散热盖体于芯片之上；

制备水冷散热系统，所述水冷散热系统具有三维蜂窝状的微槽道；

将水冷散热系统附连于所述散热盖体之上；

使导热管依次穿过水冷散热系统及散热盖体，直至到达芯片的表面。

2.如权利要求1所述的高带宽内存结构的制作方法，其特征在于，制备水冷散热系统包括：

制备第一散热板，包括在硅板表面形成钝化层，在硅板表面刻蚀出微槽道、进液口、出液口和第一导热管通孔，所述第一导热管通孔具有第一深度，所述微槽道具有第二深度，所述第一深度大于第二深度；

以制备第一散热板的方法制备第二散热板，所述第二散热板的结构与所述第一散热板的结构互为镜像；

通过第一散热板的钝化层与第二散热板的钝化层键合，其中第一散热板的微槽道与第二散热板的微槽道相对，第一散热板的第一导热管通孔与第二散热板的第一导热管通孔相对、第一散热板的进液口与第二散热板的进液口相对、第一散热板的出液口与第二散热板的出液口相对；

将第一散热板和第二散热板减薄，分别露出第一导热管通孔；

在第一散热板的表面进行刻蚀，暴露出进液口和出液口，进液口和出液口用于制冷液的流入与流出。

3.如权利要求2所述的高带宽内存结构的制作方法，其特征在于，微槽道呈蜂窝状遍布整个第一散热板和第二散热板，并在微槽道之间形成六边形凸台侧壁，所述第一导热管通孔为贯穿所述六边形凸台的通孔，所述第一导热管通孔不与微槽道内的制冷液连通。

4.如权利要求3所述的高带宽内存结构的制作方法，其特征在于，形成散热盖体于芯片之上包括：

所述散热盖体为倒扣于基板上的“凹”字形，其底部与基板的第一面附连；

减薄所述散热盖体的顶部的内表面，以使所述散热盖体的顶部与芯片各部分的高度相适应，且所述散热盖体的顶部的内表面与芯片的各部分均相接触；

在所述散热盖体上形成贯穿所述散热盖体的第二导热管通孔，所述第二导热管通孔与第一导热管通孔位置相对应；

所述散热盖体的顶部的内表面与芯片之间具有导热胶层。

5.如权利要求4所述的高带宽内存结构的制作方法，其特征在于，将水冷散热系统附连于所述散热盖体之上包括：

散热盖体的顶部的外表面形成导热胶层；

将水冷散热系统贴装至散热盖体的顶部的外表面；

使所述第一导热管通孔与所述第二导热管通孔对齐。

6.如权利要求1所述的高带宽内存结构的制作方法，其特征在于，使导热管依次穿过水冷散热系统及散热盖体包括：

在第一导热管通孔处插入单向导电的垂直热管，垂直热管直接插到所述芯片表面；

所述垂直热管在一个方向具有导电率。

7.如权利要求1所述的高带宽内存结构的制作方法，其特征在于，还包括制备芯片：

制备多个DRAM存储芯片；

制备逻辑控制单元芯片，所述逻辑控制单元芯片用于对DRAM存储芯片进行控制；

将多个DRAM存储芯片与逻辑控制单元芯片堆叠，形成存储单元芯片；

制备主芯片；

制备转接板；

将存储单元芯片和主芯片附连至转接板。

8.如权利要求7所述的高带宽内存结构的制作方法，其特征在于，还包括：

所述DRAM存储芯片和所述逻辑控制单元芯片上均具有依次电连接的微凸点、TSV、以及化镀NiPdAu的UBM焊盘；

多个所述DRAM存储芯片之间、所述DRAM存储芯片和逻辑控制单元芯片之间具有底填胶或NCF膜；

所述主芯片包括GPU、CPU、SOC及DSP芯片中的一种或多种。