[发明专利]一种新型高压传输门电路

权利要求书

1.一种新型高压传输门电路，其特征在于，包括栅极驱动电路（21）和高压开关管电路（22）；其中，

所述栅极驱动电路（21），用于在一开关电流信号的控制下，为所述高压开关管电路（22）提供一高压栅极控制信号；

所述高压开关管电路（22），用于根据所述高压栅极控制信号将一高压输入信号隔离或传输。

2.根据权利要求1所述的一种新型高压传输门电路，其特征在于，所述栅极驱动电路（21）包括第一NMOS管N1、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4以及第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4；所述高压开关管电路（22）包括第二NMOS管N2和第三NMOS管N3；其中，

所述第一NMOS管N1的栅极分别连接高压输入信号A端和所述第三二极管D3的负极，漏极与所述第一电阻R1的一端相连，源极分别连接所述第三二极管D3的正极、第五NMOS管N5的漏极、第三电阻R3的一端以及第一二极管D1的正极；

所述第五NMOS管N5的栅极连接偏置信号VB2，漏极分别连接第三二极管D3的正极、第一NMOS管N1的源极、第三电阻R3的一端以及第一二极管D1的正极，源极连接第七NMOS管N7的漏极；

所述第七NMOS管N7的栅极连接偏置信号VB1，漏极连接第五NMOS管N5的源极，源极连接地；

所述第四NMOS管N4的栅极分别连接高压输出信号B端和所述第四二极管D4的负极，漏极与所述第二电阻R2的一端相连，源极分别连接所述第四二极管D4的正极、第六NMOS管N6的漏极、第四电阻R4的一端以及第二二极管D2的正极；

所述第六NMOS管N6的栅极连接偏置信号VB2，漏极分别连接第四二极管D4的正极、第四NMOS管N4的源极、第四电阻R4的一端以及第二二极管D2的正极，源极连接第八NMOS管N8的漏极；

所述第八NMOS管N8的栅极连接偏置信号VB1，漏极连接第六NMOS管N6的源极，源极连接地；

所述第一PMOS管P1的栅极连接自身的漏极，其栅极与漏极还均分别连接第二PMOS管P2的栅极、第三PMOS管P3的栅极、第四PMOS管P4的源极，其源极接电源端VDD；

所述第二PMOS管P2的栅极分别连接第一PMOS管P1的栅极与源极、第四PMOS管P4的源极和第三PMOS管P3的栅极，漏极连接第五PMOS管P5的源极，源极连接电源端VDD；

所述第三PMOS管P3的栅极分别连接第一PMOS管P1的栅极与源极、第四PMOS管P4的源极和第二PMOS管P2的栅极，漏极连接第六PMOS管P6的源极，源极连接电源端VDD；

所述第四PMOS管P4的栅极连接自身的漏极，其栅极与漏极还均分别连接开关电流信号IS端、第五PMOS管P5的栅极和第六PMOS管P6的栅极，源极分别连接第一PMOS管P1的漏极和栅极、第二PMOS管P2和第三PMOS管P3的栅极；

所述第五PMOS管P5的栅极分别连接第四PMOS管P4的栅极和漏极、第六PMOS管P6的栅极、开关电流信号IS端，漏极分别连接所述第三电阻R3的另一端、第二NMOS管N2的栅极和第一二极管D1的负极，源极连接第二PMOS管P2的漏极；

所述第六PMOS管P6的栅极分别连接第四PMOS管P4的栅极和漏极、第五PMOS管P5的栅极、开关电流信号IS端，漏极分别连接所述第四电阻R4的另一端、第三NMOS管N3的栅极和第二二极管D2的负极，源极连接第三PMOS管P3的漏极；

所述第一二极管D1的负极分别连接第三电阻R3的一端、第五PMOS管P5的漏极和第二NMOS管N2的栅极，正极分别连接第三电阻R3的另一端、第三二极管D3的正极、第一NMOS管N1的源极和第五NMOS管N5的漏极；

所述第二二极管D2的负极分别连接第四电阻R4的一端、第六PMOS管P6的漏极和第三NMOS管N3的栅极，正极分别连接第四电阻R4的另一端、第四二极管D4的正极、第四NMOS管N4的源极和第六NMOS管N6的漏极；

所述第三二极管D3的负极分别连接高压输入信号A端和第一NMOS管N1的栅极，正极分别连接第一NMOS管N1的源极、第五NMOS管N5的漏极、第三电阻R3的一端以及第一二极管D1的正极；

所述第四二极管D4的负极分别连接高压输出信号B端和第四NMOS管N4的栅极，正极分别连接第四NMOS管N4的源极、第六NMOS管N6的漏极、第四电阻R4的一端以及第二二极管D2的正极；

所述第一电阻R1的一端连接电源端VDD，另一端连接第一NMOS管N1的漏极；

所述第二电阻R2的一端连接电源端VDD，另一端连接第四NMOS管N4的漏极；

所述第三电阻R3的一端分别连接第一二极管D1的负极、第五PMOS管P5的漏极和第二NMOS管N2的栅极，另一端分别连接第一二极管D1的正极、第三二极管D3的正极、第一NMOS管N1的源极和第五NMOS管N5的漏极；

所述第四电阻R4的一端分别连接第二二极管D2的负极、第六PMOS管P6的漏极和第三NMOS管N3的栅极，另一端分别连接第二二极管D2的正极、第四二极管D4的正极、第四NMOS管N4的源极和第六NMOS管N6的漏极；

所述第二NMOS管N2的栅极分别连接第三电阻R3的一端、第五PMOS管P5的漏极和第一二极管D1的负极，漏极连接第三NMOS管N3的漏极，源极连接高压输入信号A端；

所述第三NMOS管N3的栅极分别连接第四电阻R4的一端、第六PMOS管P6的漏极和第二二极管D2的负极，漏极连接第二NMOS管N2的漏极，源极连接高压输出信号B端。