[发明专利]液晶材料的光配向方法

说明书

本发明实施例公开了一种液晶材料的光配向方法，包括：提供一液晶材料层，所述液晶材料层添加有反应单体；以及利用辐射光照射所述液晶材料层以使所述反应单体发生聚合反应，其中所述反应单体的聚合反应过程包括第一阶段以及所述第一阶段之后的第二阶段，所述辐射光在所述第二阶段的照射时间范围为65min至75min。本发明通过在液晶配向过程中，调整所述辐射光在所述第二阶段的照射时间，能够改善面板内离子浓度，从而构建残像性能优良的显示器件。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，并且更具体地涉及液晶材料的光配向方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是当前液晶显示器的主要品种之一，所述薄膜晶体管液晶显示器通过薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)进行开关，并控制数据信号的输入，来实现画面的显示。TFT-LCD主要结构包含阵列(Array)基板，彩膜(Color Filter，CF)基板，以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶材料层。

目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(TwistedNematic，TN)、平面转换(In-PlaneSwitching，IPS)型、以及垂直配向(VerticalAlignment，VA)型。它们之中，VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用，聚合物稳定垂直配向(PolymerStabilized-Vertical Alignment，PSVA)技术就是其中比较热门的一种VA技术，PSVA技术能够使液晶面板具有较快的响应时间、穿透率高等优点，其特点是在配向膜表面形成聚合物突起，从而使液晶分子具有预倾角。

PSVA技术采用负型液晶材料，液晶材料中掺有反应单体(Reactive Monomer)。在PSVA制程中，液晶光配向过程为关键步骤之一。光配向制程包含两道UV(紫外线)光照射制程，在第一道UV(UV1)制程中，通过给基板(彩膜基板、阵列基板)加电，使液晶分子发生偏转，同时进行UV光照射，一部分反应单体发生聚合反应，向两侧基板靠近，被设于基板上的配向膜锚定，形成预倾角。在第二道UV(UV2)制程中，剩余的反应单体在UV光下进一步充分反应，得到稳定的预倾角。

残像(ImageSticking，IS)是用于评估TFT-LCD信赖性的一个重要标准，其测试方法一般是将呈现棋盘格的显示画面的面板在40℃或者常温的情况下进行长时间的驱动，在固定时间内将画面切换到某一固定灰阶，然后用人眼去观察判定棋盘格的残留程度。棋盘格的残留越明显，那么残像越严重，即IS越差。根据残像形成的原因不同，一般可以将残像分为DC残像和AC残像。一般地，面板在测试前后预倾角偏移造成的残像称为AC残像，由残留DC偏置造成的残像称为DC残像。离子不纯物是形成DC残像的基本条件之一。

发明内容

鉴于上述内容，本发明提出了一种液晶材料的光配向方法，以改善现有技术中TFT-LCD的DC残像问题。

本发明的一方面提供了一种液晶材料的光配向方法，包括：

提供一液晶材料层，所述液晶材料层添加有反应单体；以及

利用辐射光照射所述液晶材料层以使所述反应单体发生聚合反应，其中所述反应单体的聚合反应过程包括第一阶段以及所述第一阶段之后的第二阶段，所述辐射光在所述第二阶段的照射时间范围为65min至75min。

在一优选实施例中，所述辐射光在所述第二阶段的照射时间为70min。

在一优选实施例中，所述辐射光在所述第二阶段以不间断方式照射所述液晶材料层。

在一优选实施例中，所述辐射光在所述第二阶段照度保持不变。

在一优选实施例中，所述辐射光为紫外光。