[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一源极/漏极外延部件和第二源极/漏极外延部件，分别包括外部衬垫层和内部填充层；

多个沟道构件，沿第一方向在所述第一源极/漏极外延部件与所述第二源极/漏极外延部件之间延伸；以及

栅极结构，设置在所述多个沟道构件的上方和周围，

其中，所述多个沟道构件与所述外部衬垫层接触并且与所述内部填充层间隔开，

其中，所述外部衬垫层包括锗和第一元素，

其中，所述内部填充层包括锗和不同于所述第一元素的第二元素。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一元素和所述第二元素在周期表的IIIA族中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二元素的原子量大于所述第一元素的原子量。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外部衬垫层和所述内部填充层中的至少一个还包括锡。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个内部间隔部件，其中，所述多个沟道构件沿垂直于所述第一方向的第二方向与多个内部间隔部件交错。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述外部衬垫层在所述多个内部间隔部件的上方合并，并且所述多个内部间隔部件与所述内部填充层间隔开。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述外部衬垫层没有在所述多个内部间隔部件的上方合并，并且所述多个内部间隔部件与所述内部填充层接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外部衬垫层包括约5x10¹⁹原子/cm³至约5x10²⁰原子/cm³之间的硼掺杂浓度。

9.一种半导体器件，包括：

第一源极/漏极部件，包括第一外部外延部件和在所述第一外部外延部件的上方的第一内部外延部件；

第二源极/漏极部件，包括第二外部外延部件和在所述第二外部外延部件的上方的第二内部外延部件；

多个含锗沟道构件，沿第一方向在第一外部外延部件与第二外部外延部件之间延伸并与第一外部外延部件和第二外部外延部件接触；以及

栅极结构，设置在所述多个含锗沟道构件的上方和周围，

其中，所述多个含锗沟道构件与所述第一内部外延部件和所述第二内部外延部件间隔开，

其中，所述第一外部外延部件和所述第二外部外延部件包括第一p型掺杂剂，

其中，所述第一内部外延部件和所述第二内部外延部件包括与所述第一p型掺杂剂不同的第二p型掺杂剂。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底的上方形成堆叠件，其中，所述堆叠件包括与多个牺牲层交错的多个沟道层；

由所述堆叠件和所述衬底形成鳍状结构，所述鳍状结构包括沟道区和源极/漏极区；

在所述鳍状结构的沟道区上方形成伪栅极堆叠件；

在所述伪栅极堆叠件的上方沉积栅极间隔件；

使所述源极/漏极区凹进以形成源极/漏极沟槽，所述源极/漏极沟槽暴露所述多个沟道层和所述多个牺牲层的侧壁；

选择性地且部分地使所述多个牺牲层凹进以形成多个内部间隔凹槽；

在所述多个内部间隔凹槽中形成多个内部间隔部件；

在所述源极/漏极沟槽中沉积外部外延层，所述外部外延层包括第一p型掺杂剂；

在所述外部外延层上方沉积内部外延层，所述内部外延层包括第二p型掺杂剂，所述第二p型掺杂剂不同于第一p型掺杂剂；

去除所述伪栅极堆叠件；

选择性地去除所述沟道区中的多个牺牲层；以及

在所述沟道区中的多个沟道层的每一个周围形成栅极结构，

其中，所述多个沟道层包括锗，并且所述多个牺牲层包括硅锗。