[发明专利]2,4,7-三取代芴类化合物及其电子器件有效
申请号: | 202110059448.0 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN112375002B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 朱向东;张业欣;陈华 | 申请(专利权)人: | 苏州久显新材料有限公司 |
主分类号: | C07C211/61 | 分类号: | C07C211/61;C07C211/54;C07D209/86;C07D519/00;C07D209/94;C07D307/91;C07D251/24;C07D219/02;C07D239/26;C07D265/38;C07D213/06;C07C13/567;C07D241/38 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 215126 江苏省苏州市自由贸易试验区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 取代 化合物 及其 电子器件 | ||
1.一种2,4,7-三取代芴类化合物,其选自下列化合物:
2.一种电子器件,其包含根据权利要求1所述的2,4,7-三取代芴类化合物。
3.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述电子器件为有机电致发光器件、有机场效应晶体管或有机太阳能电池,其中
所述有机电致发光器件包括:第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个有机层,所述至少一个有机层包含根据权利要求1所述的2,4,7-三取代芴类化合物。
4.根据权利要求3所述的电子器件,其特征在于,所述至少一个有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层。
5.根据权利要求1所述的2,4,7-三取代芴类化合物在电子器件中作为空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料或电子传输材料的用途。
6.根据权利要求5所述的用途,其特征在于,所述电子器件为有机电致发光器件、有机场效应晶体管或有机太阳能电池,其中
所述有机电致发光器件包括:第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个有机层,所述至少一个有机层包含根据权利要求1所述的2,4,7-三取代芴类化合物;
所述至少一个有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层。
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