[发明专利]一种GaN基射频器件的封装结构

权利要求书

1.一种GaN基射频器件的封装结构，包括基板(1)、设置在基板(1)上GaN芯片(2)以及与基板(1)合围将GaN芯片(2)密封的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括封装壳体(3)、设置在封装壳体(3)内部顶端的散热组件以及均匀设置在封装壳体(3)顶部的散热翅片(4)，其中，所述封装壳体(3)顶部两侧设置有向中心倾斜的斜面(31)；

所述散热组件包括呈框型的散热壳体(41)，所述散热壳体(41)的底部呈波浪状，散热壳体(41)的顶部与封装壳体(3)顶部相互适配，所述散热壳体(41)内部对应波谷位置处的水平设置有散热管(5)，所述散热壳体(41)内部对应波峰位置处均匀倾斜设置有进气管(6)，且进气管(6)一端延伸与散热管(5)连通，进气管(6)的另一端与封装壳体(3)内部连通，所述散热管(5)的底部均匀垂直设置有出气管(7)，且出气管(7)的底端延伸至散热壳体(41)底部，所述散热壳体(41)的内部填装有冷却液；

所述散热翅片(4)的内部气体液化腔(42)，且气体液化腔(42)两端朝向中心向下倾斜，所述散热壳体(41)顶部的两端与气体液化腔(42)之间均匀设置有漏斗管一(8)，所述散热壳体(41)的中心与气体液化腔(42)中心之间均匀设置有漏斗管二(9)，其中，所述漏斗管一(8)大孔径位于散热壳体(41)的一端，漏斗管二(9)的大孔径位于气体液化腔(42)的一端。

2.根据权利要求1所述的一种GaN基射频器件的封装结构，其特征在于：所述进气管(6)与出气管(7)的位置相互交错。

3.根据权利要求1所述的一种GaN基射频器件的封装结构，其特征在于：所述冷却液采用二硫化碳。

4.根据权利要求1所述的一种GaN基射频器件的封装结构，其特征在于：所述冷却液的液面高于散热管(5)的高度。

5.根据权利要求1所述的一种GaN基射频器件的封装结构，其特征在于：所述散热管(5)的高度高于散热壳体(41)底部波峰的高度。