[发明专利]近红外线吸收性组合物、膜、红外线截止滤波器、固体摄像元件、红外线吸收剂及化合物在审
申请号: | 202110059265.9 | 申请日: | 2016-11-02 |
公开(公告)号: | CN112859207A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 平井友树;佐佐木大辅;神保良弘 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G02B1/04 | 分类号: | G02B1/04;G02B5/22;G02B5/20;G03B11/00;C07D333/36;C07D519/00;C07D333/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 薛海蛟 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外线 吸收性 组合 截止 滤波器 固体 摄像 元件 吸收剂 化合物 | ||
1.一种近红外线吸收性组合物,其含有由下述式(1)表示,且极大吸收波长为700nm以上的方酸内鎓盐化合物和树脂,
式中,Ar1及Ar2分别独立地表示包含选自噻吩环或噻唑环中的至少一种的二价共轭基团,R1~R4分别独立地表示碳原子数为6~20的烷基,R1任选地与R2或Ar1键结而形成环,R3任选地与R4或Ar2键结而形成环。
2.根据权利要求1所述的近红外线吸收性组合物,其中,
所述方酸内鎓盐化合物中,包含式(1)的Ar1及Ar2的平面具有原子数16~54的π共轭平面。
3.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物,其中,
Ar1及Ar2分别独立地表示具有原子数8以上的π共轭平面的二价共轭基团。
4.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物,其中,
选自Ar1、Ar2、R1、R2、R3及R4中的至少一个具有由下述式(W)表示的基团,
-S1-L1-T1……(W)
式(W)中,S1表示单键、亚芳基或杂亚芳基,
L1表示亚烷基、亚烯基、亚炔基、-O-、-S-、-NRL1-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONRL1-、-NRL1CO-、-SO2-、-ORL2-或组合这些而成的基团,RL1表示氢原子或烷基,RL2表示亚烷基,
T1表示烷基、氰基、羟基、甲酰基、羧基、氨基、硫醇基、磺基、磷酰基、硼烷基、乙烯基、乙炔基、芳基、杂芳基、三烷基甲硅烷基或三烷氧基甲硅烷基,
S1为单键,L1为亚烷基,T1为烷基的情况下,L1和T1所包含的碳原子数的总和为5以上,
S1表示业芳基或杂亚芳基的情况下,L1和T1所包含的碳原子数的总和为5以上。
5.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物,其中,
R1~R4分别独立地表示直链或分支的、碳原子数为6~20的烷基。
6.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物,其中,
以式(1)的-NR1R2和-NR3R4夹住的部分具有原子数16~54的π共轭平面。
7.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物,其中,
Ar1及Ar2分别独立地表示包含噻吩环的二价共轭基团。
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