[发明专利]一种导电柱的激光形成方法在审
| 申请号： | 202110058795.1 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112735957A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈洁 | 申请（专利权）人： | 福唐激光（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 激光 形成 方法 | ||
1.一种导电柱的激光形成方法，包括如下步骤：
（1）提供一硅材料的中介板，所述中介板具有相对的第一表面和第二表面；
（2）在所述中介板中形成多个导电柱，所述多个导电柱的第一端从所述第一表面露出，所述多个导电柱具有第一孔径；
（3）在所述第一表面上形成电连接所述多个导电柱的再分布层；
（4）翻转所述中介板，并研磨所述第二表面，以使得所述多个导电柱的第二端露出；
（5）利用激光束分别照射所述多个导电柱的第二端，其中，所述激光束的直径大于所述第一孔径，以在所述多个导电柱的第二端的侧壁上形成金属硅化物层；
（6）继续蚀刻所述第二表面，以使得所述多个导电柱的第二端从所述第二表面上突出形成露头部分；
（7）在所述多个导电柱的第二端上形成多个焊球并进行回流，以使得所述焊球中至少包括硅。
2.根据权利要求1所述的导电柱的激光形成方法，其特征在于：在所述步骤（6）和步骤（7）之间还包括：在所述第二表面上覆盖钝化层，并在所述钝化层中形成露出所述多个导电柱的第二端的多个开口。
3.根据权利要求2所述的导电柱的激光形成方法，其特征在于：其中，所述多个开口完全露出所述露头部分。
4.根据权利要求1所述的导电柱的激光形成方法，其特征在于：在步骤（6）中，形成露头部分时，位于所述露头部分的下方的导电柱的侧壁上还具有部分所述金属硅化物层。
5.根据权利要求1所述的导电柱的激光形成方法，其特征在于：所述激光束在所述第二表面上的光斑面积是所述导电柱在所述第二表面上的投影面积的1.1-1.2倍。
6.根据权利要求1所述的导电柱的激光形成方法，其特征在于：所述导电柱通过电镀方式形成，且包括电镀铜、电镀镍等。
7.根据权利要求1所述的导电柱的激光形成方法，其特征在于：所述再分布层包括层叠的多层布线层和多层介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
