[发明专利]一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构有效
| 申请号： | 202110057448.7 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112885813B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 杨丽侠;薛智民;刘存生;曹磊;邢鸿雁;王晨杰 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/48 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 接触 电阻 监控 结构 | ||
1.一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，其特征在于，包括形成于P型外延层(1)上的N阱(101)，所述N阱(101)的上端面覆盖有钝化层(2)；
所述N阱(101)中形成有n个N+体区(102)，每个N+体区(102)间隔设置，每个N+体区(102)的深度相同，n为不小于2的正整数；
每个N+体区(102)的中间位置形成有一个P+源区(103)，每个P+源区(103)的深度相同，每个P+源区(103)不完全覆盖对应的N+体区(102)；
每个N+体区(102)的上方开设有两个贯穿所述钝化层(2)的接触孔(3)，且每个接触孔(3)均与该N+体区(102)对应的P+源区(103)交叠；
每个N+体区(102)上的两个接触孔(3)通过N+体区(102)导通，第1个N+体区(102)上的一个接触孔(3)通过金属(4)作为引出端，第1个N+体区(102)上的另一个接触孔(3)与第2个N+体区(102)上的一个接触孔(3)通过金属(4)导通，第2个N+体区(102)上的另一个接触孔(3)与第3个N+体区(102)上的一个接触孔(3)通过金属(4)导通，以此类推，第n-1个N+体区(102)上的另一个接触孔(3)与第n个N+体区(102)上的一个接触孔(3)通过金属(4)导通，第n个N+体区(102)上的另一个接触孔(3)通过金属(4)作为引出端。
2.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，其特征在于，每个N+体区(102)中的掺杂杂质为磷，每个P+源区(103)中的掺杂杂质为硼。
3.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，其特征在于，每个N+体区(102)的结深为1～1.5μm，每个P+源区(103)的结深为0.1～0.5μm。
4.一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，其特征在于，包括形成于N型外延层(5)上的P阱(501)，所述P阱(501)的上端面覆盖有钝化层(2)；
所述P阱(501)中形成有n个P+体区(502)，每个P+体区(502)间隔设置，每个P+体区(502)的深度相同，n为不小于2的正整数；
每个P+体区(502)的中间位置形成有一个N+源区(503)，每个N+源区(503)的深度相同，每个N+源区(503)不完全覆盖对应的P+体区(502)；
每个P+体区(502)的上方开设有两个贯穿所述钝化层(2)的接触孔(3)，且每个接触孔(3)均与该P+体区(502)对应的N+源区(503)交叠；
每个P+体区(502)上的两个接触孔(3)通过P+体区(502)导通，第1个P+体区(502)上的一个接触孔(3)通过金属(4)作为引出端，第1个P+体区(502)上的另一个接触孔(3)与第2个P+体区(502)上的一个接触孔(3)通过金属(4)导通，第2个P+体区(502)上的另一个接触孔(3)与第3个P+体区(502)上的一个接触孔(3)通过金属(4)导通，以此类推，第n-1个P+体区(502)上的另一个接触孔(3)与第n个P+体区(502)上的一个接触孔(3)通过金属(4)导通，第n个P+体区(502)上的另一个接触孔(3)通过金属(4)作为引出端。
5.根据权利要求4所述的一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，其特征在于，每个P+体区(502)中的掺杂杂质为硼，每个N+源区(503)中的掺杂杂质为砷。
6.根据权利要求4所述的一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，其特征在于，每个P+体区(502)的结深为1～1.5μm，每个N+源区(503)的结深为0.1～0.5μm。
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