[发明专利]一种α-MnSe纳米片及其制备方法与用途有效
| 申请号： | 202110057412.9 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112850660B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 何军;李宁宁;王振兴 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 陈征 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mnse 纳米 及其 制备 方法 用途 | ||
【权利要求书】：
1.一种α-MnSe纳米片的制备方法，其特征在于，包括：
以Se和锰源为原料，经化学气相沉积法制得；
具体包括：将Se置于双温区管式炉的低温区、锰源置于双温区管式炉的高温区，云母置于锰源后2~6 cm处，所述双温区管式炉的炉管为石英管，用氩气清洗所述石英管后，将低温区的温度升至280℃、高温区的温度升至680~750℃或630~710℃，持续通入氩气和氢气的混合气体，其中，氩气的流量为100~150 sccm，氢气的流量为5~20 sccm，反应时间为15~55min，待反应结束后，自然冷却至室温，得到生长在云母上的α-MnSe纳米片；
其中，高温区的温度根据锰源而定；当锰源为MnO2时，高温区的温度升至680~750℃；当锰源为MnCl2时，高温区的温度升至630~710℃。
2.权利要求1所述的制备方法制得的α-MnSe纳米片在制备光电探测器中的应用。
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