[发明专利]一种双面应力补偿的太阳能电池

说明书

本发明公开了一种双面应力补偿的太阳能电池，包括：衬底；第一薄膜层，设置在所述衬底的一侧壁面上；第二薄膜层，设置在所述衬底的另一侧壁面上，所述第一薄膜层的晶格常数与所述第二薄膜层的晶格常数均小于或大于所述衬底的晶格常数。通过在衬底的两侧壁面上分别设置有第一薄膜层、第二薄膜层，由于第一薄膜层的晶格常数与第二薄膜层的晶格常数均小于或大于衬底的晶格常数，使得第一薄膜层和衬底之间的应力与第二薄膜层和衬底之间的应力方向相反，进而令衬底两侧壁面受到的应力相互抵消，有利于降低衬底因晶格失配应力产生的翘曲度，有利于提高良品率、整体性能和使用寿命。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，特别涉及具有一种双面应力补偿的太阳能电池。

背景技术

太阳能电池通过在衬底上延长不同材料的薄膜层，薄膜层与衬底之间或者不同薄膜层之间形成PN结，当太阳光照射在太阳能电池上时，薄膜层吸收与带隙对应的太阳光波段，进而激发载流子配合PN结产生电压。

现有技术中的太阳能电池，在衬底上延长薄膜层时，由于衬底与薄膜层的材料不同，使得在薄膜层延长过程中，因为晶格失配导致衬底与薄膜层之间产生应力，进而令衬底产生翘曲，降低良品率并且影响太阳能电池的性能和寿命。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种双面应力补偿的太阳能电池，其能够减低衬底的翘曲度，有利于提高良品率和性能。

根据本发明的一种双面应力补偿的太阳能电池，包括：衬底；第一薄膜层，设置在所述衬底的一侧壁面上；第二薄膜层，设置在所述衬底的另一侧壁面上，所述第一薄膜层的晶格常数与所述第二薄膜层的晶格常数均小于或大于所述衬底的晶格常数。

根据本发明实施例的一种双面应力补偿的太阳能电池，至少具有如下有益效果：通过在衬底的两侧壁面上分别设置有第一薄膜层、第二薄膜层，由于第一薄膜层的晶格常数与第二薄膜层的晶格常数均小于或大于衬底的晶格常数，使得第一薄膜层和衬底之间的应力与第二薄膜层和衬底之间的应力方向相反，进而令衬底两侧壁面受到的应力相互抵消，有利于降低衬底因晶格失配应力产生的翘曲度，有利于提高良品率、整体性能和使用寿命。

根据本发明的一些实施例，还包括至少一层设置在所述第一薄膜层上的第一附加薄膜层。

根据本发明的一些实施例，还包括至少一层设置在所述第二薄膜层上的第二附加薄膜层。

根据本发明的一些实施例，所述第一附加薄膜层的光学带隙、所述第一薄膜层的光学带隙、所述衬底的光学带隙、所述第二薄膜层的光学带隙以及所述第二附加薄膜层的光学带隙依次递减或递增。

根据本发明的一些实施例，所述衬底为InP片。

根据本发明的一些实施例，所述第一薄膜层为AlGaAs层。

根据本发明的一些实施例，所述第二薄膜层为GaNAsSb层。

根据本发明的一些实施例，所述第一附加薄膜层有一层，所述第一附加薄膜层为AlGaInP层。

根据本发明的一些实施例，所述第二附加薄膜层有一层，所述第二附加薄膜层为GaInNAs层。

根据本发明的一些实施例，所述AlGaInP层的光学带隙为2.1eV，所述AlGaAs层的光学带隙为1.7eV，所述InP片的光学带隙为1.34eV，所述GaNAsSb层的光学带隙为1.0eV，所述GaInNAs层的光学带隙为0.6eV。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明其中一种实施例的结构示意图。