[发明专利]一种有机聚硅氟组合物及其制备方法

说明书

本发明提供了一种有机聚硅氟组合物，由质量比为1：(0.8～1.2)的A组分和B组分组成；A组分包括：包含至少两个脂肪族不饱和基团的化合物60～99质量份；耐油剂0.5～40质量份；金属催化剂0.05～0.5质量份；所述耐油剂为包含脂肪族不饱和基团的含氟化合物；B组分包括：包含至少两个脂肪族不饱和基团的化合物10～98质量份；具有硅键接氢原子的有机聚硅氧烷2～90质量份；凝胶固化抑制剂1～10质量份。本发明提供的有机聚硅氟组合物采用特定含量组分，实现较好的相互作用，为抗硫渗透以及耐油型有机聚硅氟凝胶组合物；产品固化后具有比常规硅凝胶更优的低硫渗透性能，同时还具有较低的硬度、高柔韧性，以及较高的抗硫渗透、优异的耐油性能、较强的粘接拉伸力和优异的介电特性。

技术领域

本发明涉及有机聚硅氟组合物技术领域，更具体地说，是涉及一种有机聚硅氟组合物及其制备方法。

背景技术

IGBT模块通常包括紫铜底板、导热绝缘陶瓷覆铜板、芯片、连接导束、电极、控制端子、PBT塑料壳体、有机硅氟柔软凝胶层。抗硫渗透以及耐油型有机聚硅氟组合物硅凝胶具有优良的抗二氧化硫渗透以及耐油性能，能够在高硫浓度下长期使用、起到防芯片硫化和电气绝缘性能，是该类电子器件必不可少的封装材料。柔软硅氟凝胶是应用最广泛的封装工艺，未来功率半导体封装工艺将向更加优异的耐透气耐抗硫性能，高粘接硅氟凝胶封装发展。

电动汽车和高铁用IGBT模块、电路板电子模块在长期在各种复杂环境中工作过程中易碰到空气中的二氧化硫、硫化氢等气体，高浓度的含硫气体会穿透普通纯含硅凝胶，半导体模块在长期高浓度二氧化硫状态下工作会对普通凝胶产生穿透作用而导致芯片被腐蚀，如果采用耐油抗硫型凝胶，会有效的保护IGBT芯片在复杂环境中的工作时间，有效提高模块在不同环境下的使用时间，从而降低模块失效周期。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种抗硫渗透以及耐油型有机聚硅氟组合物及其制备方法，本发明提供的有机聚硅氟组合物固化后具有比常规硅凝胶更优的低硫渗透性能。

本发明提供了一种有机聚硅氟组合物，由质量比为1：(0.8～1.2)的A组分和B组分组成；

所述A组分包括：

包含至少两个脂肪族不饱和基团的化合物60～99质量份；

耐油剂0.5～40质量份；

金属催化剂0.05～0.5质量份；

所述耐油剂为包含脂肪族不饱和基团的含氟化合物；

所述B组分包括：

包含至少两个脂肪族不饱和基团的化合物10～98质量份；

具有硅键接氢原子的有机聚硅氧烷2～90质量份；

凝胶固化抑制剂1～10质量份。

优选的，所述包含至少两个脂肪族不饱和基团的化合物为包含至少两个脂肪族不饱和基团的有机硅化合物；所述包含至少两个脂肪族不饱和基团的有机硅化合物的基本单元为式(I)所示：

R_aR¹_bSiO_(4-a-b)/2   式(I)；

式(I)中，R为不含脂肪族碳碳多重键的有机基，R¹为具有脂肪族碳碳多重键的一价的未取代或取代的SiC键接的烃基；0≤a≤3，0≤b≤2，且a+b≤3。

优选的，所述包含脂肪族不饱和基团的含氟化合物选自乙烯基三氟甲基二甲基硅烷、乙烯基(3,3,3-三氟丙基)二甲基硅烷、全氟环戊烯、4-溴-1,1,2-三氟-1-丁烯和6-溴-1,1,2-三氟己烯中的一种或多种。

优选的，所述金属催化剂选自铂催化剂、铑催化剂和钯催化剂中的一种或多种。