[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够进行基板面内的氟树脂膜的形成范围的调节。基板处理装置具备：疏水化处理部，其构成为进行疏水化处理，在该疏水化处理中通过疏水化处理用的疏水化气体的蒸镀来在基板的表面形成疏水化膜；紫外线照射部，其构成为通过向基板的背面中的去除区域照射紫外线，来去除在疏水化处理中形成于去除区域的疏水化膜；以及树脂膜形成部，其构成为在去除了疏水化膜后的去除区域形成氟树脂膜。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一种基板处理装置，该基板处理装置具备在基板的背面形成减少该基板的背面与在曝光处理时保持基板的背面的保持面之间的摩擦的摩擦减少膜的膜形成部。作为通过膜形成部形成的摩擦减少膜的具体例，能够列举出氟树脂膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-121683号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够调节基板面内的氟树脂膜的形成范围的基板处理装置和基板处理方法。

用于解决问题的方案

本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：疏水化处理部，其构成为进行疏水化处理，在该疏水化处理中通过疏水化处理用的疏水化气体的蒸镀来在基板的表面形成疏水化膜；紫外线照射部，其构成为通过向基板的背面中的去除区域照射紫外线，来去除在疏水化处理中形成于去除区域的疏水化膜；以及树脂膜形成部，其构成为在去除了疏水化膜后的去除区域形成减少与基板的保持部之间的摩擦的摩擦减少膜。

发明的效果

根据本公开，提供一种能够调节基板面内的氟树脂膜的形成范围的基板处理装置和基板处理方法。

附图说明

图1是示出基板处理系统的一例的示意性的立体图。

图2是示出涂布显影装置的一例的示意图。

图3是示出处理膜形成单元的一例的示意图。

图4的(a)是示出工件背面的一例的示意图。

图4的(b)是示意性地示出保持臂的一例的俯视图。

图5是示出控制装置的硬件结构的一例的框图。

图6是示出涂布显影处理的一例的流程图。

图7是示出处理膜形成处理的一例的流程图。

图8的(a)是示出疏水化处理的情形的示意图。

图8的(b)是示出疏水化膜形成后的工件表面的一例的示意图。

图8的(c)是示出疏水化膜形成后的工件背面的一例的示意图。

图9的(a)是示出紫外线照射的情形的示意图。

图9的(b)是示出紫外线照射后的工件背面的一例的示意图。

图9的(c)是示意性地示出紫外线照射后的工件的一例的侧视图。

图10的(a)是示出氟树脂膜形成的情形的示意图。

图10的(b)是示出氟树脂膜形成后的工件背面的一例的示意图。