[发明专利]半导体结构

说明书

本公开提供一种半导体结构。半导体结构包括金属栅极结构，设置于半导体基板上方；栅极间隔物，设置于金属栅极结构的侧壁上；源极/漏极接触件，设置于半导体基板上方并且通过栅极间隔物与金属栅极结构分开；及接触部件，耦合金属栅极结构至源极/漏极接触件。可将接触部件设置成包括设置于金属层上的介电层，其中介电层及金属层是由连续的侧壁所定义。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及一种具有抵接接触件的半导体装置。

背景技术

集成电路(integrated circuit,IC)产业已历经了指数成长。IC材料及设计的技术性进步已产生了数个世代的ICs，其中各世代都比前一世代具有更小且更复杂的电路。在IC演进的历程中，功能密度(即单位芯片面积的内连线装置数目)通常会增加，而几何尺寸(即可使用工艺生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化(scaling down)的工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供效益。这种微缩化也已增加了ICs加工及制造的复杂性

例如，随着部件尺寸不断减小，抵接接触件及内连线部件的制造变得更具挑战性。在较小的长度尺度下，抵接接触件及内连线部件可受益于延长的间隔距离，以解决电子短路问题并改善装置性能。尽管制造抵接接触件及内连线部件的现有方法通常已经足够了，但并非在所有方面皆令人满意。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：金属栅极结构(metal gatestructure,MG)，设置于半导体基板上方；栅极间隔物，设置于金属栅极结构的侧壁上；源极/漏极接触件(S/D contact,MD)，设置于半导体基板上方，并且通过栅极间隔物与金属栅极结构分开；及接触部件，耦合金属栅极结构至源极/漏极接触件，其中接触部件包括介电层，设置于金属层上，且其中介电层及金属层是由连续的侧壁所定义。

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：金属栅极堆叠，设置于基板上方；源极/漏极(source/drain,S/D)部件，设置于基板上方并邻近于金属栅极堆叠；源极/漏极接触件，设置于源极/漏极部件上；第一层间介电(interlayer dielectric,ILD)层，设置于源极/漏极接触件上方；抵接接触件(butted contact)，设置于第一层间介电层中，其中抵接接触件从第一层间介电层延伸至接触金属栅极堆叠及源极/漏极接触件；介电层，设置于抵接接触件上，其中介电层的侧壁是由第一层间介电层所定义；第二层间介电层，设置于第一层间介电层上方；及导电部件，设置于第二层间介电层中。

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成半导体装置，包括设置金属栅极结构(metal gate structure,MG)于半导体层上方，设置栅极间隔物于金属栅极结构的侧壁上，并设置源极/漏极(source/drain,S/D)部件于半导体层中并邻近于金属栅极结构；形成源极/漏极接触件(S/D contact,MD)于源极/漏极部件上方；形成第一层间介电(interlayer dielectric,ILD)层于金属栅极结构及源极/漏极接触件上方；图案化第一层间介电层以形成开口；形成金属层于开口中，使得金属层接触金属栅极结构及源极/漏极接触件；移除金属层的顶部，以形成沟槽；形成介电层于金属层的剩余部分上方，从而填充沟槽；及形成第二层间介电层于介电层上方。

附图说明

本公开的各面向从以下详细描述中配合附图可最好地被理解。应强调的是，依据业界的标准做法，各种部件并未按照比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了清楚讨论，各种部件的尺寸可任意放大或缩小。

图1为根据本公开的各面向，示出制造半导体装置的方法的流程图。

图2A为根据本公开的各面向，半导体装置的实施例的立体三维视图。

图2B为根据本公开的各面向，示出半导体装置的实施例的平面俯视图。