[发明专利]集成电路在审
申请号: | 202110053638.1 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN113140561A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 刘逸群 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 | ||
1.一种集成电路,其特征在于,该集成电路包括:
一第一层,包括在一第一方向上延伸的一第一金属导轨;
一第二层,沿垂直于该第一方向的一第二方向在该第一层上方,其中该第二层包括一组电源开关的主动区域,其中该组电源开关的所述主动区域经连接而形成在该第一方向上延伸的一连续区域,其中该第一金属导轨经由一或多个通孔接触件电耦接至所述主动区域中的一或多者;以及
一第三层,沿该第二方向在该第二层上方,其中该第三层包括一第二金属导轨,该第二金属导轨经由一或多个额外的通孔接触件电耦接至该组电源开关中的一或多者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的