[发明专利]一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置有效

专利信息
申请号: 202110053132.0 申请日: 2021-01-15
公开(公告)号: CN112885698B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 莫维伟 申请(专利权)人: 苏州赛莱德自动化科技有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 杭州君和专利代理事务所(特殊普通合伙) 33442 代理人: 包雪雷
地址: 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 集成电路 晶片 刻蚀 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置,包括刻蚀箱(1)、激励线圈(2)、偏压提供装置(3)、放置台(4)、气体注入组件(5)和气体排出组件(6),其特征在于:所述刻蚀箱(1)的底部设置放置座(7),所述放置座(7)的上部呈锥形,所述放置台(4)以所述放置座(7)的顶点为中心分布在所述放置座(7)的锥形表面上,所述放置台(4)倾斜设置;

所述刻蚀箱(1)内设置有弧形闭合板(8),所述弧形闭合板(8)由弧形板环绕成的通道状结构,该通道状结构的竖直轴线与所述刻蚀箱(1)的竖直轴线重合,所述弧形闭合板(8)的上端连接有上部连接管(9),所述上部连接管(9)与所述刻蚀箱(1)的顶部相连,所述放置台(4)用于承载硅晶片,且所述放置台(4)位于所述弧形闭合板(8)的正下方;

所述气体注入组件(5)用于向所述刻蚀箱(1)内部通入刻蚀气体,所述气体排出组件(6)包括气体排出口(601)和惰性气体下部注入通道(602),所述惰性气体下部注入通道(602)用于向所述刻蚀箱(1)内部通入惰性气体,通过所述惰性气体的流动带动反应产物一起流动,最终从所述气体排出口(601)处排出,

所述激励线圈(2)安装在所述刻蚀箱(1)的外壁上,所述激励线圈(2)用于将所述刻蚀箱(1)内部的刻蚀气体激发成等离子体,所述偏压提供装置(3)设置在所述刻蚀箱(1)的内部,所述偏压提供装置(3)用于向所述刻蚀箱(1)内部的硅晶片施加偏压,

所述气体注入组件(5)包括设置在所述弧形闭合板(8)的板壁内部的若干弧形通道(501),所述弧形通道(501)的上端连接有上部直管道(502),所述上部直管道(502)位于所述上部连接管(9)的管壁中,且所述上部直管道(502)的上端延伸出所述上部连接管(9),刻蚀气体由所述上部直管道(502)通入,之后进入所述弧形通道(501),所述弧形通道(501)与所述放置台(4)一一对应,所述弧形通道(501)的下端出口正对着对应的所述放置台(4),以使刻蚀气体对所述放置台(4)上的硅晶片进行刻蚀,

所述弧形通道(501)的下端连接有下部直管道(503),所述下部直管道(503)延伸出所述弧形闭合板(8),且所述下部直管道(503)与对应的所述放置台(4)垂直,同时下部直管道(503)与对应的所述放置台(4)之间无接触,以使刻蚀气体能够垂直喷洒在硅晶片上,保证刻蚀效果,

所述放置座(7)的竖直轴线与所述刻蚀箱(1)的竖直轴线重合,所述气体排出口(601)包括上部气体排出口(601a)和若干下部气体排出口(601b),所述上部气体排出口(601a)设置于所述刻蚀箱(1)的顶部中心,且所述上部气体排出口(601a)位于所述弧形闭合板(8)的内腔的正上方,所述下部气体排出口(601b)设置在所述刻蚀箱(1)的底部,且所述下部气体排出口(601b)的位置与所述放置台(4)的位置对应,刻蚀气体喷洒在硅晶片上后,生成的气体反应产物中的一部分向侧下方流动,最终从所述下部气体排出口(601b)处排出,

所述气体排出组件(6)还包括若干惰性气体上部注入通道(603),所述惰性气体上部注入通道(603)设置在所述刻蚀箱(1)的顶部,且所述惰性气体上部注入通道(603)的下端延伸至所述刻蚀箱(1)内,同时所述惰性气体上部注入通道(603)的下端位于所述刻蚀箱(1)的内壁与所述弧形闭合板(8)的外壁之间的区域,惰性气体由所述惰性气体上部注入通道(603)通入所述刻蚀箱(1)内,带动刻蚀气体喷洒在硅晶片上后生成的气体反应产物中的一部分向侧下方流动,最终从所述下部气体排出口(601b)处排出,所述惰性气体上部注入通道(603)与所述放置台(4)一一对应,带动对应放置台(4)上的反应产物流动,

所述刻蚀箱(1)内设置有导流板(10),所述导流板(10)位于所述刻蚀箱(1)的顶板与侧板之间的夹角处,为上方惰性气体提供导流作用,

所述惰性气体下部注入通道(602)设置在所述刻蚀箱(1)的底部中心,所述惰性气体下部注入通道(602)穿过所述放置座(7),所述惰性气体下部注入通道(602)的轴线与所述放置座(7)竖直轴线重合,所述惰性气体下部注入通道(602)的上端出口正对着所述弧形闭合板(8)的内腔,且所述惰性气体下部注入通道(602)与所述上部气体排出口(601a)在同一竖直线上,惰性气体由所述惰性气体下部注入通道(602)通入所述刻蚀箱(1)内,带动刻蚀气体喷洒在硅晶片上后生成的气体反应产物中的一部分向上流动,最终从所述上部气体排出口(601a)处排出。

2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置,其特征在于:所述放置座(7)的表面设置有安置槽(11),所述放置台(4)转动设置在所述安置槽(11)内,所述安置槽(11)下方设置有转动电机(12),所述转动电机(12)的输出轴与所述放置台(4)的底部中心垂直相连。

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