[发明专利]铁电存储器中的数据保持损失筛选

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

形成具有铁电存储器单元的半导体裸片；

将所述铁电存储器单元编程为第一数据状态；

在将所述铁电存储器单元编程为所述第一数据状态之后，在第一温度下将所述半导体裸片烘烤达第一选定持续时间；

在所述第一温度下将所述半导体裸片烘烤之后，将所述铁电存储器单元编程为第二数据状态同时所述半导体裸片在第二温度下，所述第二温度低于所述第一温度；

在将所述多个铁电存储器单元编程为所述第二数据状态之后且同时保持在所述第二温度下：

在多个参考电压的相应一者下读取所述铁电存储器单元的多个样本群组中的每一者，以确定在所述多个参考电压的每一者下的故障的铁电存储器单元的数目；及

根据在所述多个参考电压下的故障的铁电存储器单元的所述数目，确定测试参考电压；及

在所述测试参考电压下读取所述多个铁电存储器单元中的每一者；

确定响应于在所述测试参考电压下被读取而故障的铁电存储器单元的数目；

确定响应于在所述测试参考电压下被读取而故障的铁电存储器单元的所述数目是否超过修复极限数目；

当故障的铁电存储器单元的所述数目小于所述修复极限数目时将所述半导体裸片识别为通过，且封装所述半导体裸片以形成所述半导体装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括对所述故障的铁电存储器单元执行修复操作。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述修复操作包括激活冗余铁电存储器单元以替换所述故障的铁电存储器单元。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括当故障的铁电存储器单元的所述数目大于所述修复极限数目时将所述半导体裸片识别为故障，且不封装所述存储器裸片以形成所述半导体装置。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括在将所述多个铁电存储器单元编程为所述第二数据状态之后且在所述多个参考电压下读取所述铁电存储器单元的所述多个样本群组之前，在所述第二温度下将所述半导体裸片暂停达第二选定持续时间。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述测试参考电压下读取所述多个铁电存储器单元中的每一者包括：

将所述多个铁电存储器单元编程为所述第一数据状态；

接着将所述多个铁电存储器单元编程为所述第二数据状态；

接着在所述测试参考电压下读取所述多个铁电存储器单元。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述测试参考电压下读取所述多个铁电存储器单元中的每一者还包括：

在将所述多个铁电存储器单元编程为所述第二数据状态之后且在所述测试参考电压下读取经编程的所述多个铁电存储器单元之前，在所述第二温度下将所述半导体裸片暂停达第三选定持续时间。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述第一温度为至少85℃；

所述第一选定持续时间为至少20分钟；

所述第二高温为至少60℃；及

所述第二选定持续时间和所述第三选定持续时间中的每一者为至少10秒。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述测试参考电压下读取所述多个铁电存储器单元中的每一者包括：

将所述多个铁电存储器单元编程为所述第一数据状态；

接着将所述多个铁电存储器单元编程为所述第二数据状态；

接着在所述测试参考电压下读取所述多个铁电存储器单元中的每一者。

10.根据权利要求9所述的方法，在所述测试参考电压下读取所述多个铁电存储器单元中的每一者还包括：

在将所述多个铁电存储器单元编程为所述第二数据状态之后且在所述测试参考电压下读取经编程的所述多个铁电存储器单元之前，在所述第二温度下将所述半导体裸片暂停达第二选定持续时间。