[发明专利]一种稳定性能优异的(Ta,Hf,Zr)C复合涂层的制备方法有效
| 申请号: | 202110052656.8 | 申请日: | 2019-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN112899650B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
| 发明(设计)人: | 李忠盛;吴护林;丛大龙;何庆兵;陈大军;赵子鹏;田武强 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业第五九研究所 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/32 |
| 代理公司: | 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229 | 代理人: | 李靖 |
| 地址: | 400039 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 稳定 性能 优异 ta hf zr 复合 涂层 制备 方法 | ||
1.一种稳定性能优异的(Ta,Hf,Zr)C复合涂层的制备方法,其特征在于,依次包括以下步骤:
(1)在氩气保护手套箱内,将TaCl5、HfCl4和ZrCl4混合粉末,盛装入氧化铝坩埚内;其中TaCl5、HfCl4和ZrCl4按质量百分比分别为55%、35%和10%配制;
(2)将基体样品放置在沉积炉支架上,并向沉积炉内通入流量为200ml/min的氩气30min,以排除炉内空气;再以5~20℃/min的升温速率加热沉积炉达到沉积温度1300℃;
(3)将盛有TaCl5、HfCl4和ZrCl4混合粉末的坩埚放入双温区气化炉中的低温区的升降支架上,升高升降支架使坩埚口部与高温区连通,设定双温区气化炉中低温区的加热温度为320℃,高温区的加热温度为550℃,加热使混合粉末完全气化;
(4)向沉积炉内通入流量为500ml/min的H2、流量为100ml/min的CH4,并在双温区气化炉中高温区底部通入以流量为180ml/min的氩气作为运载气体,将完全气化后得到的TaCl5、HfCl4和ZrCl4的混合气体通入沉积炉内,在常压条件下沉积时间为2h;
(5)涂层沉积完成后,关闭H2、CH4,并在氩气保护下关闭沉积炉和双温区气化炉加热电源,至炉温降低至200℃以下时取出样品。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





