[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管

权利要求书

1.功率半导体晶体管，包括：

耦合到负载端子的半导体主体；

半导体主体中的第一导电类型的漂移区；

沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中并且具有第一沟槽侧壁和第二沟槽侧壁以及沟槽底部；

沟槽中的电极，与半导体主体电绝缘；

第一导电类型的源极区，横向邻近第一沟槽侧壁并且电连接到负载端子；

第二导电类型的半导体沟道区，横向邻近第一沟槽侧壁并且将源极区与漂移区分离；和

电连接到负载端子的引导区域，

其中，引导区域包括第二导电类型的条区段，该条区段在垂直方向上沿第二沟槽侧壁或沿另一沟槽的侧壁延伸到半导体主体中比沟槽底部更深的深度，

其中，引导区域包括第二导电类型的平稳区段，该平稳区段与条区段邻接并且在沟槽底部下方朝向半导体沟道区延伸，

其中，平稳区段在半导体沟道区下方具有至少一个开口，

其中，功率半导体晶体管没有与引导区域接触的源极区，使得引导区域不提供正向方向上的电流路径。

2.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，所述平稳区段具有在所述半导体沟道区下方对准的多个开口。

3.根据权利要求2所述的功率半导体晶体管，其中，所述多个开口在空间上彼此移位，使得在所述半导体沟道区下方存在被所述平稳区段覆盖的区域。

4.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，所述平稳区段的所述至少一个开口由所述漂移区填充。

5.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，除了所述至少一个开口之外，所述平稳区段的掺杂剂浓度沿第一和第二横切横向方向中的每个基本恒定。

6.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，所述平稳区段具有对准在所述半导体沟道区下方的单个开口，使得所述平稳区段在所述半导体沟道区下方被完全中断。

7.根据权利要求6所述的功率半导体晶体管，其中，在所述半导体沟道区下方的、所述平稳区段中的中断被所述漂移区填充。

8.根据权利要求6所述的功率半导体晶体管，其中，在所述半导体沟道区下方的、所述平稳区段中的中断具有在第一横向方向上超过所述平稳区段上方的所述源极区的宽度的宽度。

9.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，在所述半导体沟道区下方，所述平稳区段具有：一个或多个开口，所述开口被所述漂移区覆盖；以及，一个或多个区域，与所述平稳区段的其余部分相比具有局部降低的掺杂剂浓度。

10.根据权利要求9所述的功率半导体晶体管，其中，具有局部降低的掺杂剂浓度的所述一个或多个区域的掺杂剂浓度小于所述平稳区段的其余部分的掺杂剂浓度的50％。

11.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，当在所述半导体沟道区下方穿过时，所述平稳区段具有沿第一横向方向的基本恒定的掺杂剂浓度。

12.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，所述平稳区段的所述至少一个开口与所述半导体沟道区横向对准。

13.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，所述平稳区段的所述至少一个开口在至少第一横向方向上具有与所述半导体沟道区相同的宽度。

14.根据权利要求1所述的功率半导体晶体管，其中，所述平稳区段的所述至少一个开口在第一和第二横切横向方向上具有与所述半导体沟道区相同的宽度。

15.根据权利要求14所述的功率半导体晶体管，其中，所述平稳区段的所述至少一个开口在所述第一横向方向上的宽度不同于所述平稳区段的所述至少一个开口在所述第二横向方向上的宽度。