[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，所述电子器件包括：

有源区域，所述有源区域包括柱阵列，其中所述柱阵列包括：

第一柱，所述第一柱具有第一电荷类型的第一净电荷；

第二柱，所述第二柱具有与所述第一电荷类型相反的第二电荷类型的第二净电荷；和

内部柱，所述内部柱包括交替的奇数柱和偶数柱，所述奇数柱具有所述第一电荷类型的第三净电荷，所述偶数柱具有所述第二电荷类型的第四净电荷，

其中：

所述第二柱设置在所述第一柱和所述内部柱之间，并且

所述第一净电荷的绝对值或所述第二净电荷的绝对值小于所述第三净电荷中的每个第三净电荷的绝对值。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第二净电荷与所述第四净电荷中的每个第四净电荷基本上相同。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第二净电荷的所述绝对值小于所述第三净电荷中的每个第三净电荷的所述绝对值。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述第二净电荷显著小于所述第四净电荷中的每个第四净电荷。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件，所述电子器件还包括绝缘层，所述绝缘层具有所述第二电荷类型的绝缘体电荷，并且第一类型电荷总量和第二类型电荷总量之和不大于所述第一类型电荷总量或所述第二类型电荷总量的5％。

6.一种电子器件，所述电子器件包括：

有源区域，所述有源区域包括柱阵列，所述柱阵列包括：

第一柱，所述第一柱包括沿着所述第一柱的第一高度的大部分延伸的第一掺杂区域，其中所述第一掺杂区域包括处于第一平均掺杂剂浓度的第一掺杂剂；

第二柱，所述第二柱包括沿着所述第二柱的第二高度的大部分延伸的第二掺杂区域，其中所述第二掺杂区域包括处于第二平均掺杂剂浓度的第二掺杂剂；和

第三柱，所述第三柱包括沿着所述第三柱的第三高度的大部分延伸的第三掺杂区域，其中所述第三掺杂区域包括具有第一导电类型的第三掺杂剂，所述第三掺杂剂处于第三平均掺杂剂浓度，

其中：

所述第二柱设置在所述第一柱和所述第三柱之间，并且

所述第三平均掺杂剂浓度大于所述第一平均掺杂剂浓度或所述第二平均掺杂剂浓度。

7.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述第一平均掺杂剂浓度显著小于所述第三平均掺杂剂浓度。

8.根据权利要求6或7所述的电子器件，其中所述第二平均掺杂剂浓度小于所述第三平均掺杂剂浓度。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其中所阵列还包括：

第四柱，所述第四柱包括沿着所述第四柱的第四高度的大部分延伸的第四掺杂区域，其中所述第四掺杂区域包括具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第四掺杂剂，其中所述第四掺杂剂处于第四平均掺杂剂浓度，并且所述第四平均掺杂剂浓度显著大于所述第二平均掺杂剂浓度。

10.一种电子器件，所述电子器件包括：

有源区域，所述有源区域包括：

柱阵列，其中所述柱阵列包括具有受体型掺杂剂种类的p型柱和具有供体型掺杂剂种类的n型柱的交替图案；和

绝缘层，所述绝缘层位于所述柱阵列内的相邻柱之间，

其中：

负电荷与所述p型柱的所述受体型掺杂剂种类相关联，

正电荷与所述n型柱的所述供体型掺杂剂种类和所述绝缘层相关联，并且

所述有源区域的净电荷的绝对值不超过所述负电荷的5％。