[发明专利]一种具备先开后关时序控制的电源有效
申请号: | 202110052325.4 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112953200B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 张士化;周浩兰;顾校平;徐林 | 申请(专利权)人: | 北京军陶科技有限公司;上海军陶科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/00 | 分类号: | H02M3/00;H02M1/092;H02M1/34 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 陈旭红;吕金金 |
地址: | 100071 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具备 先开后关 时序 控制 电源 | ||
1.一种具备先开后关时序控制的电源,其特征在于,包括:
输入滤波电路,用于对直流输入电压进行滤波后输出直流电压Vi;
时序控制电路,用于接收所述直流电压Vi和使能控制信号,并输出第一使能信号和第二使能信号;所述时序控制电路包括:第一限流电阻、信号隔离光耦、第二限流电阻、充电电阻、放电二极管、第一储能电容、第一N沟道场效应管、放电电阻、充电二极管、第二储能电容、第二N沟道场效应管;所述第一限流电阻的一端连接所述使能控制信号的正端,另一端连接所述信号隔离光耦的第一引脚;所述信号隔离光耦的第二引脚连接所述使能控制信号的负端;所述信号隔离光耦的第三引脚接信号地GND;所述第二限流电阻的一端连接直流电压Vi,另一端连接信号隔离光耦的第四引脚;所述充电电阻的一端连接所述信号隔离光耦的第四引脚和所述放电二极管的阴极,另一端连接所述放电二极管的阳极、所述第一储能电容的一端和第一N沟道场效应管的栅极;所述放电电阻的一端连接所述信号隔离光耦的第四引脚和所述充电二极管的阳极,另一端连接所述充电二极管的阴极、所述第二储能电容的一端和第二N沟道场效应管的栅极;所述第一N沟道场效应管的漏极接所述第一使能信号,源极接信号地GND;所述第二N沟道场效应管的漏极接所述第二使能信号,源极接信号地GND;第一储能电容的另一端接信号地GND;第二储能电容的另一端接信号地GND;
第一DC/DC转换电路,用于接收所述第一使能信号,并根据所述所述第一使能信号对所述直流电压Vi进行隔离转换并输出直流电压Va;
第一输出滤波电路,用于对所述直流电压Va进行滤波降噪后输出直流电压Vo1;
第二DC/DC转换电路,用于接收所述第二使能信号,并根据所述所述第二使能信号对所述直流电压Vi进行隔离转换并输出直流电压Vb;
第二输出滤波电路,用于对所述直流电压Vb进行滤波降噪后输出直流电压Vo2。
2.如权利要求1所述的一种具备先开后关时序控制的电源,其特征在于,所述时序控制电路用于实现输出直流电压Vo1先于直流电压Vo2建立,后于直流电压Vo2关闭。
3.如权利要求1所述的一种具备先开后关时序控制的电源,其特征在于,所述使能控制信号是低电平时:
直流电压Vi通过第二限流电阻、充电电阻,在第一储能电容两端产生电压,使得第一N沟道场效应管栅源极间电压满足漏源极导通条件,所述第一使能信号为低电平;
直流电压Vi通过第二限流电阻、充电二极管,在第二储能电容两端产生电压,使得第二N沟道场效应管栅源极间电压满足漏源极导通条件,所述第二使能信号为低电平;
低电平的第一使能信号和第二使能信号,分别控制后级的第一DC/DC转换电路和第二DC/DC转换电路不工作,不输出电源。
4.如权利要求1所述的一种具备先开后关时序控制的电源,其特征在于,在所述使能控制信号由低电平转为高电平时:
经第一限流电阻,在信号隔离光耦的第一引脚和第二引脚之间产生电流,使得信号隔离光耦的第三引脚和第四引脚导通,第四引脚由高电平转为低电平;
第一储能电容经放电二极管迅速放电,此电压使得第一N沟道场效应管栅源极间电压不再满足漏源极导通条件,使能信号EN1由低电平转为高电平;
第二储能电容经放电电阻缓慢放电,此电压使得第二N沟道场效应管栅源极间电压不再满足漏源极导通条件,使能信号EN2由低电平转为高电平;
所述第一使能信号和所述第二使能信号先后由低电平转为高电平,分别控制后级的第一DC/DC转换电路和第二DC/DC转换电路工作,电源依次输出直流电压Vo1和直流电压Vo2。
5.如权利要求1所述的一种具备先开后关时序控制的电源,其特征在于,在所述使能控制信号由高电平转为低电平时:
第一限流电阻和信号隔离光耦的第一引脚和第二引脚之间电流消失,使得信号隔离光耦的第三引脚和第四引脚截止,第四引脚由低电平转为高电平;
第二储能电容经充电二极管迅速充电,此电压使得第二N沟道场效应管栅源极间电压满足漏源极导通条件,第二使能信号由高电平转为低电平;
第一储能电容经充电电阻缓慢充电,此电压使得第一N沟道场效应管栅源极间电压满足漏源极导通条件,第一使能信号由高电平转为低电平;
第二使能信号和第一使能信号先后由高电平转为低电平,分别控制后级的第二DC/DC转换电路和第一DC/DC转换电路不工作,电源输出直流电压Vo2和直流电压Vo1依次消失。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京军陶科技有限公司;上海军陶科技股份有限公司,未经北京军陶科技有限公司;上海军陶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110052325.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:烫片机废料片带收片与切片组合结构及烫片机
- 下一篇:温室用聚氯乙烯超透膜