[发明专利]影像感测器结构及其制造方法在审
申请号: | 202110052276.4 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN113140582A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 林津裕;廖耕颍;叶书佑;陈柏仁;董怀仁;陈咸利 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感测器 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种影像感测器结构,其特征在于,包含:
一半导体基板;
多个影像感测元件,形成于该半导体基板中;
一内连接结构,其形成于该半导体基板上;以及
一复合网格结构,于该半导体基板上,其中该复合网格结构包含一钨网格、该钨网格上的一氧化物网格、及一粘附增强网格,该粘附增强网格将该钨网格与该氧化物网格间隔开。
2.根据权利要求1所述的影像感测器结构,其特征在于,该粘附增强网格包含多个网格线,所述多个网格线各自具有随着距该半导体基板的一距离增加而增加的一宽度。
3.根据权利要求1所述的影像感测器结构,其特征在于,该钨网格包含多个网格线,所述多个网格线各自具有随着距该半导体基板的一距离增加而减少的一宽度。
4.根据权利要求1所述的影像感测器结构,其特征在于,该氧化物网格包含多个网格线,所述多个网格线各自具有一渐缩顶部分段。
5.根据权利要求1所述的影像感测器结构,其特征在于,该复合网格结构还包含该氧化物网格上的一氮氧化物网格。
6.一种影像感测器结构,其特征在于,包含:
一半导体基板;
多个光电二极管,于该半导体基板中;
一内连接结构,于该半导体基板上;以及
一复合网格结构,于该半导体基板上,其中该复合网格结构包含一氧化物网格及该氧化物网格与该半导体基板之间的一金属网格,且该复合网格结构缺乏一氧化物/金属界面。
7.根据权利要求6所述的影像感测器结构,其特征在于,该复合网格结构还包含一氮化物网格,该氮化物网格与该金属网格的一顶部表面形成一氮化物/金属界面。
8.根据权利要求7所述的影像感测器结构,其特征在于,还包含:
多个彩色滤光片,延伸穿过该氮化物网格。
9.一种影像感测器结构的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:
形成多个光电二极管于一基板中;
形成一内连接结构于该基板上;
沉积一金属网格层在该基板上、一粘附增强层在该金属网格层上、及一氧化物网格层在该粘附增强层上;以及
蚀刻该金属网格层、该粘附增强层及该氧化物网格层以形成多个金属网格线、分别在所述多个金属网格线上方延伸的多个粘附增强网格线、及分别在所述多个粘附增强网格线上方延伸的多个氧化物网格线。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包含以下步骤:
在沉积该金属网格层之前,形成一缓冲层形成于该基板上,且形成一阻障层于该缓冲层上;以及
蚀刻该阻障层及该缓冲层以形成分别在所述多个金属网格线下方延伸的多个阻障网格线,及分别在所述多个阻障网格线下方延伸的缓冲网格线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的