[发明专利]影像感测器结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110052276.4 申请日: 2021-01-15
公开(公告)号: CN113140582A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 林津裕;廖耕颍;叶书佑;陈柏仁;董怀仁;陈咸利 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 影像 感测器 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种影像感测器结构,其特征在于,包含:

一半导体基板;

多个影像感测元件,形成于该半导体基板中;

一内连接结构,其形成于该半导体基板上;以及

一复合网格结构,于该半导体基板上,其中该复合网格结构包含一钨网格、该钨网格上的一氧化物网格、及一粘附增强网格,该粘附增强网格将该钨网格与该氧化物网格间隔开。

2.根据权利要求1所述的影像感测器结构,其特征在于,该粘附增强网格包含多个网格线,所述多个网格线各自具有随着距该半导体基板的一距离增加而增加的一宽度。

3.根据权利要求1所述的影像感测器结构,其特征在于,该钨网格包含多个网格线,所述多个网格线各自具有随着距该半导体基板的一距离增加而减少的一宽度。

4.根据权利要求1所述的影像感测器结构,其特征在于,该氧化物网格包含多个网格线,所述多个网格线各自具有一渐缩顶部分段。

5.根据权利要求1所述的影像感测器结构,其特征在于,该复合网格结构还包含该氧化物网格上的一氮氧化物网格。

6.一种影像感测器结构,其特征在于,包含:

一半导体基板;

多个光电二极管,于该半导体基板中;

一内连接结构,于该半导体基板上;以及

一复合网格结构,于该半导体基板上,其中该复合网格结构包含一氧化物网格及该氧化物网格与该半导体基板之间的一金属网格,且该复合网格结构缺乏一氧化物/金属界面。

7.根据权利要求6所述的影像感测器结构,其特征在于,该复合网格结构还包含一氮化物网格,该氮化物网格与该金属网格的一顶部表面形成一氮化物/金属界面。

8.根据权利要求7所述的影像感测器结构,其特征在于,还包含:

多个彩色滤光片,延伸穿过该氮化物网格。

9.一种影像感测器结构的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:

形成多个光电二极管于一基板中;

形成一内连接结构于该基板上;

沉积一金属网格层在该基板上、一粘附增强层在该金属网格层上、及一氧化物网格层在该粘附增强层上;以及

蚀刻该金属网格层、该粘附增强层及该氧化物网格层以形成多个金属网格线、分别在所述多个金属网格线上方延伸的多个粘附增强网格线、及分别在所述多个粘附增强网格线上方延伸的多个氧化物网格线。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包含以下步骤:

在沉积该金属网格层之前,形成一缓冲层形成于该基板上,且形成一阻障层于该缓冲层上;以及

蚀刻该阻障层及该缓冲层以形成分别在所述多个金属网格线下方延伸的多个阻障网格线,及分别在所述多个阻障网格线下方延伸的缓冲网格线。

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