[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一第一元件，位于一基材中；以及

一间隙填充层，其中：

该间隙填充层的一第一部分覆盖该第一元件；

该间隙填充层的该第一部分具有一锥形侧壁；以及

该基材的一第一部分将该间隙填充层的该第一部分与该第一元件分开。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基材的该第一部分具有一第一锥形侧壁，并且该间隙填充层的该第一部分的该锥形侧壁与该第一锥形侧壁对齐。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：

该间隙填充层的一第二部分覆盖该第一元件；

该间隙填充层的该第二部分具有一锥形侧壁；以及

该基材的该第一部分具有一第二锥形侧壁，其中该间隙填充层的该第二部分的该锥形侧壁与该第二锥形侧壁对齐。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：

该间隙填充层的一第二部分与该第一元件横向偏移；以及

该基材的一第二部分将该间隙填充层的该第二部分与该第一元件分开。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包含：

在该基材的该第一部分和该间隙填充层的该第一部分之间的一缓冲层。

6.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一第一元件，位于一基材中；以及

一间隙填充层，其中：

该间隙填充层的一第一部分覆盖该第一元件；

该间隙填充层的一第二部分与该第一元件横向偏移；以及

该基材的一第一部分将该间隙填充层的该第二部分与该第一元件分开。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，包含：

一第二元件，位于该基材中，其中：

该间隙填充层的该第二部分与该第二元件横向偏移；以及

该间隙填充层的该第二部分在该第一元件和该第二元件之间。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，至少以下之一：

该第一元件是一第一光电二极管；或者

该第二元件是一第二光电二极管。

9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：

形成一第一凹槽于一基材中，其中该第一凹槽覆盖该基材中的一第一元件；

形成一第一沟槽于该基材中，其中该第一沟槽在该基材中的该第一元件和一第二元件之间；以及

形成一间隙填充层于该第一凹槽和该第一沟槽中，使得该间隙填充层的一第一部分覆盖该第一元件，并且该间隙填充层的一第二部分在该第一元件和该第二元件之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成该第一凹槽包含：

形成一硬遮罩层于该基材上；

图案化该硬遮罩层以产生一图案化的硬遮罩层；以及

使用该图案化的硬遮罩层蚀刻该基材以形成该第一凹槽。