[发明专利]一种PCB电路板的制备方法

权利要求书

1.一种PCB电路板的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：在工作台上对基板进行钻孔，钻出塞位孔和非塞位孔；

步骤2：对所述基板、所述塞位孔内壁和所述非塞位孔内壁进行镀铜；

步骤3：采用树脂填充各所述塞位孔，中控模块根据各塞位孔内的树脂的液面高度判定是否对塞位孔完成填充并针对未完成填充的塞位孔内的树脂进行对应处理；

步骤4：对所述基板进行烘干以使各所述塞位孔内的树脂固化；

步骤5：对所述基板进行图形转移；

步骤6：对图形转移后的所述基板进行蚀刻以形成导电线路；

所述中控模块根据基板的尺寸确定所述塞位孔的孔径，再根据所述塞位孔的孔径对基板进行钻孔，并根据所述塞位孔的孔径确定树脂填充容积对塞位孔进行填充，树脂填充完成后，所述中控模块通过将树脂填充高度与基板厚度进行比对，并根据比对结果对所述塞位孔进行二次填充或吸取溢出树脂；

所述中控模块中设置有预设基板尺寸矩阵A0和预设塞位孔孔径矩阵R0；

对于所述预设基板尺寸矩阵A0，设定A0(A1，A2，A3，A4)，其中，A1为第一预设基板尺寸，A2为第二预设基板尺寸，A3为第三预设基板尺寸，A4为第四预设基板尺寸，各预设基板尺寸按照顺序逐渐增加；

对于所述预设塞位孔孔径矩阵R0，设定R0(R1，R2，R3，R4)，其中，R1为第一预设塞位孔孔径，R2为第二预设塞位孔孔径，R3为第三预设塞位孔孔径，R4为第四预设塞位孔孔径，各预设塞位孔孔径按照顺序逐渐增加；

当所述中控模块选用预设塞位孔孔径时，所述中控模块将实际基板的尺寸A与所述预设基板尺寸矩阵A0中的参数进行比对，并根据比对结果选用对应的预设塞位孔孔径：

当A＜A1时，所述中控模块选用R1作为预设塞位孔孔径；

当A1≤A＜A2时，所述中控模块选用R2作为预设塞位孔孔径；

当A2≤A＜A3时，所述中控模块选用R3作为预设塞位孔孔径；

当A3≤A＜A4时，所述中控模块选用R4作为预设塞位孔孔径；

所述中控模块中还设置有预设塞位孔间距矩阵B0和预设塞位孔孔径调节系数矩阵a0；

对于所述预设塞位孔间距矩阵B0，设定B0(B1，B2，B3，B4)，其中，B1为第一预设塞位孔间距，B2为第二预设塞位孔间距，B3为第三预设塞位孔间距，B4为第四预设塞位孔间距，各预设塞位孔间距按照顺序逐渐增加；

对于所述预设塞位孔孔径调节系数矩阵a0，设定a0(a1，a2，a3，a4)，其中，a1为第一预设塞位孔孔径调节系数，a2为第二预设塞位孔孔径调节系数，a3为第三预设塞位孔孔径调节系数，a4为第四预设塞位孔孔径调节系数，各预设塞位孔孔径调节系数按照顺序逐渐增加，0＜a1＜a2＜a3＜a4＜1；

当所述中控模块针对选用的塞位孔孔径Ri进行调节时，设定i＝1,2,3,4，所述中控模块将基板中相邻塞位孔的实际间距B与所述预设塞位孔间距矩阵B0中的参数进行比对，并根据比对结果选用对应的塞位孔孔径调节系数对Ri进行调节：

当B＜B1时，所述中控模块选用a1对Ri进行调节；

当B1≤B＜B2时，所述中控模块选用a2对Ri进行调节；

当B2≤B＜B3时，所述中控模块选用a3对Ri进行调节；

当B3≤B＜B4时，所述中控模块选用a4对Ri进行调节；

当B≥B4时，所述中控模块不对Ri进行调节；

当所述中控模块选用aj对选用的Ri进行调节时，设定j＝1，2，3，4，调节后的塞位孔孔径为Ri’，设定Ri’＝Ri×aj；

所述中控模块中还设置有预设树脂填充容积矩阵V0，设定V0(V1，V2，V3，V4)，其中，V1为第一预设树脂填充容积，V2为第二预设树脂填充容积，V3为第三预设树脂填充容积，V4为第四预设树脂填充容积，各预设树脂填充容积按照顺序逐渐增加；

当所述中控模块选用树脂填充容积时，所述中控模块将实际选用的塞位孔孔径Ri’与所述预设塞位孔孔径矩阵R0中的参数进行比对，并根据比对结果选用对应的树脂填充容积：

当Ri’＜R1时，所述中控模块选用V1作为树脂填充容积；

当R1≤Ri’＜R2时，所述中控模块选用V2作为树脂填充容积；

当R2≤Ri’＜R3时，所述中控模块选用V3作为树脂填充容积；

当R3≤Ri’＜R4时，所述中控模块选用V4作为树脂填充容积；

所述中控模块中还设置有预设基板厚度矩阵C0和预设树脂填充容积调节系数矩阵b0；

对于所述预设基板厚度矩阵C0，设定C0(C1，C2，C3，C4)，其中，C1为第一预设基板厚度，C2为第二预设基板厚度，C3为第三预设基板厚度，C4为第四预设基板厚度，各预设基板厚度按照顺序逐渐增加；

对于所述预设树脂填充容积调节系数矩阵b0，设定b0(b1，b2，b3，b4)，其中，b1为第一预设树脂填充容积调节系数，b2为第二预设树脂填充容积调节系数，b3为第三预设树脂填充容积调节系数，b4为第四预设树脂填充容积调节系数，各预设树脂填充容积调节系数按照顺序逐渐增加，0＜b1＜b2＜1＜b3＜b4；

当所述中控模块针对选用的树脂填充容积Vi进行调节时，设定i＝1,2,3,4，所述中控模块将实际基板厚度C与所述预设基板厚度矩阵C0中的参数进行比对，并根据比对结果选用对应的树脂填充容积调节系数对Vi进行调节：

当C＜C1时，所述中控模块选用b1对Vi进行调节；

当C1≤C＜C2时，所述中控模块选用b2对Vi进行调节；

当C2≤C＜C3时，不调节；

当C3≤C＜C4时，所述中控模块选用b3对Vi进行调节；

当C≥C4时，所述中控模块选用b4对Vi进行调节；

当所述中控模块选用bj对选用的Vi进行调节时，设定j＝1，2，3，4，调节后的树脂填充容积为Vi’，设定Vi’＝Vi×bj；

所述中控模块中还设置有预设树脂粘度矩阵z0和预设树脂填充容积调节系数修正系数矩阵α0；

对于所述预设树脂粘度矩阵z0，设定z0(z1，z2，z3，z4)，其中，z1为第一预设树脂粘度，z2为第二预设树脂粘度，z3为第三预设树脂粘度，z4为第四预设树脂粘度，各预设树脂粘度按照顺序逐渐增加；

对于所述预设树脂填充容积调节系数修正系数矩阵α0，设定α0(α1，α2，α3，α4)，其中，α1为第一预设树脂填充容积调节系数修正系数，α2为第二预设树脂填充容积调节系数修正系数，α3为第三预设树脂填充容积调节系数修正系数，α4为第四预设树脂填充容积调节系数修正系数，各预设树脂填充容积调节系数修正系数按照顺序逐渐增加，0＜α1＜α2＜α3＜α4＜1；

当所述中控模块针对选用的树脂填充容积调节系数bj进行修正时，所述中控模块将实际使用树脂的粘度z与所述预设树脂粘度矩阵z0中的参数进行比对，并根据比对结果选用对应的树脂填充容积调节系数修正系数对bj进行修正：

当z＜z1时，所述中控模块选用α1对bj进行修正；

当z1≤z＜z2时，所述中控模块选用α2对bj进行修正；

当z2≤z＜z3时，所述中控模块选用α3对bj进行修正；

当z3≤z＜z4时，所述中控模块选用α4对bj进行修正；

当z≥z4时，不调节；

当所述中控模块选用αk对选用的bj进行修正时，设定k＝1，2，3，4，修正后的树脂填充容积调节系数为bj’，设定bj’＝bj×αk；

所述中控模块中还设置有树脂填充高度H和树脂填充高度差值△H，设定△H＝H-C；

当所述工作台对所述塞位孔填充完成时，所述中控模块根据树脂填充高度差值△H的大小进行判定：

当△H＜0时，所述中控模块判定对所述塞位孔进行二次填充；

当△H＝0时，判定填充完成；

当△H＞0时，所述中控模块判定对所述塞位孔进行吸取树脂；

所述中控模块中还设置有预设树脂亏欠高度矩阵F0和预设树脂二次填充量矩阵M0；

对于所述预设树脂亏欠高度矩阵F0，设定F0(F1，F2，F3，F4)，其中，F1为第一预设树脂亏欠高度，F2为第二预设树脂亏欠高度，F3为第三预设树脂亏欠高度，F4为第四预设树脂亏欠高度，各预设树脂亏欠高度按照顺序逐渐增加；

对于所述预设树脂二次填充量矩阵M0，设定M0(M1，M2，M3，M4)，其中，M1为第一预设树脂二次填充量，M2为第二预设树脂二次填充量，M3为第三预设树脂二次填充量，M4为第四预设树脂二次填充量，各预设树脂二次填充量按照顺序逐渐增加；

当所述中控模块选用树脂二次填充量时，设定F＝C-H,所述中控模块将实际树脂亏欠高度F与所述预设树脂亏欠高度矩阵F0中的参数进行比对，并根据比对结果选用对应的树脂二次填充量：

当F＜F1时，所述中控模块选用M1作为树脂二次填充量；

当F1≤F＜F2时，所述中控模块选用M2作为树脂二次填充量；

当F2≤F＜F3时，所述中控模块选用M3作为树脂二次填充量；

当F3≤F＜F4时，所述中控模块选用M4作为树脂二次填充量；

所述中控模块中还设置有预设树脂溢出高度矩阵G0和预设树脂吸取量矩阵N0；

对于所述预设树脂溢出高度矩阵G0，设定G0(G1，G2，G3，G4)，其中，G1为第一预设树脂溢出高度，G2为第二预设树脂溢出高度，G3为第三预设树脂溢出高度，G4为第四预设树脂溢出高度，各预设树脂溢出高度按照顺序逐渐增加；

对于所述预设树脂吸取量矩阵N0，设定N0(N1，N2，N3，N4)，其中，N1为第一预设树脂吸取量，N2为第二预设树脂吸取量，N3为第三预设树脂吸取量，N4为第四预设树脂吸取量，各预设树脂吸取量按照顺序逐渐增加；

当所述中控模块选用树脂吸取量时，设定G＝H-C,所述中控模块将实际树脂溢出高度G与所述预设树脂溢出高度矩阵G0中的参数进行比对，并根据比对结果选用对应的树脂吸取量：

当G＜G1时，所述中控模块选用N1作为树脂吸取量；

当G1≤G＜G2时，所述中控模块选用N2作为树脂吸取量；

当G2≤G＜G3时，所述中控模块选用N3作为树脂吸取量；

当G3≤G＜G4时，所述中控模块选用N4作为树脂吸取量。

2.根据权利要求1所述的PCB电路板的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，对所述基板进行烘干时，烘干温度为120-140℃。