[发明专利]化学机械研磨方法有效
申请号: | 202110051576.0 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112366134B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 陈笋弘;白向阳;程建秀;曾盟善;王松 | 申请(专利权)人: | 晶芯成(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨方法,其特征在于,包括:
提供一测试晶圆;
在所述测试晶圆上形成测试层;
对所述测试层执行化学机械研磨工艺;
测量所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度,其中,测量所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度的方法包括:测量所述测试层的第一外围区域的多个点的厚度,并计算所述测试层的第一外围区域的多个点的厚度平均值,以及测量所述测试层的第一中心区域的厚度,并计算所述测试层的第一中心区域的多个点的厚度平均值;
根据所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度预设产品层工艺条件;
提供一产品晶圆;
根据预设的产品层工艺条件在所述产品晶圆上形成产品层,所述测试层的第一外围区域的厚度等于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度等于第二中心区域的厚度,所述测试层的第一外围区域的厚度大于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度小于第二中心区域的厚度,其中,所述产品层工艺条件为所述产品层沉积工艺的温度,并通过控制产品层沉积工艺中产品晶圆的第三外围区域与第三中心区域的温度差值来控制所述产品层的第二外围区域与第二中心区域的厚度差值,通过控制产品层沉积工艺中产品晶圆的第三外围区域与第三中心区域的温度差值的方法包括:获取所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度的差值,以得到一厚度差值;获取所述测试层的厚度与所述沉积工艺的温度的对应关系,以得到第一系数;获取所述厚度差值与所述第一系数的比值,以得到所述温度差值,产品晶圆的第三外围区域的温度与所述第三中心区域的温度具有所述温度差值,则所述产品层的第二外围区域的厚度与所述第二中心区域的厚度之间具有所述厚度差值;其中,产品晶圆的第三外围区域的温度等于第三中心区域的温度则所述产品层的第二外围区域的厚度等于第二中心区域的厚度,产品晶圆的第三外围区域的温度小于第三中心区域的温度则所述产品层的第二外围区域的厚度小于第二中心区域的厚度;以及,
对所述产品层执行化学机械研磨工艺。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述测试层与所述产品层的材质相同。
3.如权利要求2所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述测试层与所述产品层的材质均为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,通过厚度测量系统测量所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度。
5.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一外围区域和所述第二外围区域均呈圆环形,且所述第一外围区域包围所述第一中心区域,所述第二外围区域包围所述第二中心区域。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,形成所述产品层的工艺为化学气相沉积工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶芯成(北京)科技有限公司,未经晶芯成(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110051576.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造