[发明专利]化学机械研磨方法有效

专利信息
申请号: 202110051576.0 申请日: 2021-01-15
公开(公告)号: CN112366134B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 陈笋弘;白向阳;程建秀;曾盟善;王松 申请(专利权)人: 晶芯成(北京)科技有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 化学 机械 研磨 方法
【权利要求书】:

1.一种化学机械研磨方法,其特征在于,包括:

提供一测试晶圆;

在所述测试晶圆上形成测试层;

对所述测试层执行化学机械研磨工艺;

测量所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度,其中,测量所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度的方法包括:测量所述测试层的第一外围区域的多个点的厚度,并计算所述测试层的第一外围区域的多个点的厚度平均值,以及测量所述测试层的第一中心区域的厚度,并计算所述测试层的第一中心区域的多个点的厚度平均值;

根据所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度预设产品层工艺条件;

提供一产品晶圆;

根据预设的产品层工艺条件在所述产品晶圆上形成产品层,所述测试层的第一外围区域的厚度等于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度等于第二中心区域的厚度,所述测试层的第一外围区域的厚度大于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度小于第二中心区域的厚度,其中,所述产品层工艺条件为所述产品层沉积工艺的温度,并通过控制产品层沉积工艺中产品晶圆的第三外围区域与第三中心区域的温度差值来控制所述产品层的第二外围区域与第二中心区域的厚度差值,通过控制产品层沉积工艺中产品晶圆的第三外围区域与第三中心区域的温度差值的方法包括:获取所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度的差值,以得到一厚度差值;获取所述测试层的厚度与所述沉积工艺的温度的对应关系,以得到第一系数;获取所述厚度差值与所述第一系数的比值,以得到所述温度差值,产品晶圆的第三外围区域的温度与所述第三中心区域的温度具有所述温度差值,则所述产品层的第二外围区域的厚度与所述第二中心区域的厚度之间具有所述厚度差值;其中,产品晶圆的第三外围区域的温度等于第三中心区域的温度则所述产品层的第二外围区域的厚度等于第二中心区域的厚度,产品晶圆的第三外围区域的温度小于第三中心区域的温度则所述产品层的第二外围区域的厚度小于第二中心区域的厚度;以及,

对所述产品层执行化学机械研磨工艺。

2.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述测试层与所述产品层的材质相同。

3.如权利要求2所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述测试层与所述产品层的材质均为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,通过厚度测量系统测量所述测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度。

5.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一外围区域和所述第二外围区域均呈圆环形,且所述第一外围区域包围所述第一中心区域,所述第二外围区域包围所述第二中心区域。

6.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,形成所述产品层的工艺为化学气相沉积工艺。

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