[发明专利]一种晶圆切割方法

说明书

本发明涉及晶圆切割技术领域，特指一种晶圆切割方法；本发明是将晶圆背面朝上放置在工作台上，激光切割头从晶圆背面向正面切割，再通过扩晶机扩晶分离；本发明通过改变激光切割的方向，再配合扩晶机加工，就可以实现晶圆快速切割的效果，同时保证产品质量。

技术领域

本发明涉及晶圆切割技术领域，特指一种晶圆切割方法。

背景技术

在半导体加工行业内，需要对半导体晶圆进行切割，即，在晶圆上沿切割道将晶圆上每一颗晶粒加以切割分离，目前，行业内通用的生产加工工艺是，采用激光切割机对晶圆进行切割，将晶圆正向放置在激光切割机上，激光从晶圆的正面沿切割道对晶圆进行切割。由于晶圆材质自身的质量原因，晶圆内部可能含有杂质，例如切割道上含有金属颗粒，杂质一般不透光，所以在切割的过程中，激光无法透过杂质，因此会出现晶圆局部未被切断的情况，而后续加工，则会导致晶圆被拉坏的情况，这样就会导致严重的质量事故，而且很多晶圆也无法再利用，也就同时造成晶圆浪费，提高制造成本，降低生产效率。即使如申请分布号为 CN 106952986 A的中国专利文献公开的“一种LED晶圆切割方法”，也没有解决前述由于晶圆内部杂质影响切割的技术问题。

因此，基于上述现有的晶圆切割方法的缺陷，需要对现有的晶圆切割方法进行改进。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足提供一种晶圆切割方法，该晶圆切割方法解决了现有的晶圆切割方法所存在的：由于晶圆内部杂质影响晶圆切割的技术缺陷。

为实现上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：一种晶圆切割方法，将晶圆背面朝上放置在工作台上，激光切割头从晶圆背面向正面切割，再通过扩晶机扩晶分离。

所述的激光切割头配有红外相机，红外相机的光线从晶圆背面向正面照射。

本发明的有益效果在于：通过改变激光切割的方向，再配合扩晶机加工，就可以实现晶圆快速切割的效果，同时保证产品质量。

具体实施方式

本发明晶圆切割方法包括：将晶圆背面朝上放置在工作台上，激光切割头从晶圆背面向正面切割，再通过扩晶机扩晶分离。

本发明从背面切割，即使由于杂质阻挡没有完全被切断，由于距离较小，后续通过扩晶机加工就可以很容易地将未切断的部分拉开，从而完成生产工序，实现晶圆切割。

本发明的激光切割头配有红外相机，红外相机的光线从晶圆背面向正面照射，利用红外相机来观察晶圆正面的切割道，保证切割效果。

本发明在切割前，对晶圆背面进行打磨抛光，使晶圆背面光滑，保证激光切割效果，晶圆背面为光滑平面。