[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一区和第二区，位于所述第一区上具有第一鳍部，所述第一鳍部包括若干层重叠的第一牺牲层、以及位于相邻两层第一牺牲层之间的第一沟道层，位于所述第二区上具有第二鳍部，所述第二鳍部包括若干层重叠的第二牺牲层、以及位于相邻两层第二牺牲层之间的第二沟道层；

横跨所述第一鳍部表面的第一伪栅极，且所述第一伪栅极位于所述第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；

横跨所述第二鳍部表面的第二伪栅极，且所述第二伪栅极位于所述第二鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；

位于所述第一伪栅极两侧的第一鳍部的第一开口；

位于相邻两层第一沟道层之间的第二开口，所述第二开口暴露出的第一牺牲层侧壁相对于所述第一伪栅极侧壁凹陷；

位于所述第二伪栅极两侧的第二鳍部内的第三开口；

位于相邻两层第二沟道层之间的第四开口，所述第四开口暴露出的第二牺牲层侧壁相对于所述第二沟道层侧壁凹陷，且所述第四开口暴露出的第二牺牲层侧壁凸出于或者齐平于所述第二伪栅极侧壁；

位于所述第二开口内的第一内侧墙；

位于所述第四开口内的第二内侧墙。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一牺牲层的材料与所述第一沟道层的材料不同；所述第一牺牲层的材料包括锗硅，所述第一沟道层的材料包括硅；所述第二牺牲层的材料与所述第二沟道层的材料不同；所述第二牺牲层的材料包括锗硅，所述第二沟道层的材料包括硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一内侧墙在沿所述第一鳍部延伸方向上的尺寸范围为2纳米至8纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二内侧墙在沿所述第二鳍部延伸方向上的尺寸范围为1纳米至6纳米。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一内侧墙填满所述第二开口。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一内侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种；所述第二内侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包括：所述第一伪栅极的材料包括硅；所述第二伪栅极的材料包括硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一伪栅极侧壁还有第一侧墙；所述第二伪栅极侧壁还有第二侧墙。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区和第二区，位于所述第一区上具有第一鳍部，所述第一鳍部包括若干层重叠的第一牺牲层、以及位于相邻两层第一牺牲层之间的第一沟道层，位于所述第二区上具有第二鳍部，所述第二鳍部包括若干层重叠的第二牺牲层、以及位于相邻两层第二牺牲层之间的第二沟道层；

形成横跨所述第一鳍部表面的第一伪栅极，且所述第一伪栅极位于所述第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；

形成横跨所述第二鳍部表面的第二伪栅极，且所述第二伪栅极位于所述第二鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；

在所述第一伪栅极两侧的第一鳍部内形成第一开口；

在形成所述第一开口后，刻蚀所述第一牺牲层，在相邻两层第一沟道层之间形成第二开口，所述第二开口暴露出的第一牺牲层侧壁相对于所述第一伪栅极侧壁凹陷；

在所述第二伪栅极两侧的第二鳍部内形成第三开口；

形成所述第三开口后，刻蚀所述第二牺牲层，在相邻两层第二沟道层之间形成第四开口，所述第四开口暴露出的第二牺牲层侧壁相对于所述第二沟道层侧壁凹陷，且所述第四开口暴露出的第二牺牲层侧壁凸出于或者齐平于所述第二伪栅极侧壁；

在所述第二开口内形成第一内侧墙；

在所述第四开口内形成第二内侧墙。