[发明专利]三维异质集成的柔性封装结构及制造方法有效
申请号: | 202110045947.4 | 申请日: | 2021-01-14 |
公开(公告)号: | CN112864100B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 王楠鑫;马盛林;金玉丰 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L23/06 | 分类号: | H01L23/06;H01L23/10;H01L23/48 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黄广龙 |
地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 集成 柔性 封装 结构 制造 方法 | ||
1.三维异质集成的柔性封装结构,其特征在于,包括:
第一柔性材料层,所述第一柔性材料层上设置有至少两个芯片;
至少一个第一金属互联层,每一个所述第一金属互联层设置在所述第一柔性材料层中,每一个所述第一金属互联层连接对应的所述芯片的焊盘;
第二柔性材料层,所述第二柔性材料层设置在所述第一柔性材料层上,并包裹每一个所述芯片;
至少一个导电柱,每一个所述导电柱设置在所述第二柔性材料层中并贯穿所述第二柔性材料层,每一个所述导电柱的底面连接对应的所述第一金属互联层,每一个所述导电柱由外至内依次包括:支撑层、绝缘层、扩散阻挡层和导电层,所述支撑层的材料为聚二甲基硅氧烷,所述支撑层环绕形成所述导电柱的外侧面;
第三柔性材料层,所述第三柔性材料层设置在所述第二柔性材料层上;
至少一个第二金属互联层,每一个所述第二金属互联层设置在所述第三柔性材料层中,每一个所述第二金属互联层连接对应的所述芯片的焊盘或对应的所述导电柱的顶面;
每一个所述第一金属互联层和每一个所述第二金属互联层呈弯折状。
2.根据权利要求1所述的三维异质集成的柔性封装结构,其特征在于,所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、苯并环丁烯、聚酰亚胺、玻璃、聚丙烯、聚对二甲苯中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的三维异质集成的柔性封装结构,其特征在于,所述扩散阻挡层的材料为钽、氮化钽、钨化钛中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的三维异质集成的柔性封装结构,其特征在于,所述导电层的材料为铜、铝、金、钨中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的三维异质集成的柔性封装结构,其特征在于,所述第一柔性材料层、所述第二柔性材料层和所述第三柔性材料层的材料均为共聚酯或聚对二甲苯中的至少一种。
6.三维异质集成的柔性封装制造方法,其特征在于,包括:
在载片上沉积第一柔性材料层,并在所述第一柔性材料层上沉积得到至少一个第一金属互联层,每一个所述第一金属互联层呈弯折状;
将至少两个芯片与对应的所述第一金属互联层连接;
在所述第一柔性材料层上沉积第二柔性材料层;
使用激光打孔或深反应离子刻蚀工艺对所述第二柔性材料层进行开孔,得到至少一个通孔;
在每一个所述通孔中填充支撑层材料,并通过电镀或化学镀的方法依次形成绝缘层、扩散阻挡层和导电层,得到至少一个导电柱,使每一个所述导电柱的底面与对应的所述第一金属互联层连接,所述支撑层的材料为聚二甲基硅氧烷,所述支撑层环绕形成所述导电柱的外侧面;
在所述第二柔性材料层上沉积得到至少一个第二金属互联层,每一个所述第二金属互联层呈弯折状,每一个所述第二金属互联层连接对应的所述芯片的焊盘或对应的所述导电柱的顶面;
在所述第二柔性材料层上沉积第三柔性材料层,并剥离所述载片。
7.根据权利要求6所述的三维异质集成的柔性封装制造方法,其特征在于,所述在所述第一柔性材料层上沉积第二柔性材料层的步骤,还包括:
在所述第一柔性材料层上沉积第二柔性材料层;
通过化学机械研磨方法打磨所述第二柔性材料层;
判断所述芯片是否露出所述第二柔性材料层;
若判断所述芯片露出所述第二柔性材料层,则停止打磨所述第二柔性材料层。
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