[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体集成电路，能够响应来自外部的输入信号而运行；

测量部件，对从半导体装置进入待机模式的时间点开始的时间进行测量；以及

生成部件，响应由所述测量部件所测量的测量时间的经过，生成用于使所述待机模式的消耗电力进一步降低的多个省电使能信号。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述生成部件生成至少第一省电使能信号及第二省电使能信号，

所述第一省电使能信号是在所述测量时间到达第一决定时间时生成，所述第二省电使能信号是在所述测量时间到达比第一决定时间长的第二决定时间时生成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

所述第一省电使能信号被提供给所述半导体集成电路的第一内部电路，所述第二省电使能信号被提供给所述半导体集成电路的第二内部电路，

对于所述第一内部电路及所述第二内部电路的电力供给响应所述第一省电使能信号及所述第二省电使能信号而被阻断。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述半导体集成电路包含基于第一供给电压而生成第二供给电压的电压生成电路，

所述电压生成电路包含所述测量部件及所述生成部件，所述电压生成电路生成多个省电使能信号。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中

所述电压生成电路包含多个电压生成电路，多个电压生成电路生成多个省电使能信号。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述半导体集成电路包括：内部电路，响应多个省电使能信号而阻断电力供给；以及待机用内部电路，在待机模式时运行，不根据所述省电使能信号来阻断电力供给。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中

所述待机用内部电路包含易失性存储电路。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中

所述电压生成电路包括：

第一节点，供给第一供给电压；

第二节点，将第二供给电压供给至负载；

连接电路，连接于所述第一节点与所述第二节点之间，响应控制信号而进行所述第一节点与所述第二节点的连接或非连接；

电阻梯，连接于所述第二节点与基准电位之间；

脉冲生成电路，当所述第一节点与所述第二节点为非连接时，基于在所述第二节点与所述基准电位之间生成的电阻电容时间常数来生成脉冲信号；

逻辑电路，基于所述脉冲信号来生成所述控制信号；

计数器，对基于所述脉冲信号而生成的时钟进行计数；以及

生成电路，基于所述计数器的计数值来生成所述省电使能信号。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

所述生成电路基于所述计数器的计数值来生成多个省电使能信号。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

所述脉冲生成电路包含第一比较器与第二比较器，并基于所述第一比较器及所述第二比较器的比较结果来生成所述脉冲信号，所述第一比较器对由所述电阻梯所生成的第一电压与基准电压进行比较，所述第二比较器对比由所述电阻梯所生成的所述第一电压小的第二电压与基准电压进行比较。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

所述连接电路包含栅极被施加所述控制信号的P沟道金属氧化物半导体晶体管，

所述逻辑电路在经过了以所述电阻电容时间常数所规定的时间时，使所述控制信号迁移至低电平。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

所述逻辑电路反馈输入由所述生成电路所生成的省电使能信号，并响应所述省电使能信号而将所述连接电路设为非连接。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述半导体集成电路包含与快闪存储器相关的电路，所述待机模式响应快闪存储器的忙碌信号或就绪信号而转变。