[发明专利]驱动电路的补偿电压计算方法

权利要求书

1.一种驱动电路的补偿电压计算方法，其特征在于，包括如下步骤：

S100：提供像素驱动电路以及外部侦测电路，所述像素驱动电路的一端与输入信号线相连，所述像素驱动电路的另一端与所述外部侦测电路相连；

在所述像素驱动电路内定义第一探测点g和第二探测点s；

S101：向所述像素驱动电路的一端提供第一高电平信号，向所述像素驱动电路的另一端提供第二高电平信号，使所述第一探测点g和所述第二探测点s分别获得初始电位V1和V2，并得到第一探测点g与第二探测点s的电压值Vgs，其中，所述第一探测点g和所述第二探测点s位于所述像素驱动电路中的同一薄膜晶体管的两侧；

S102：改变所述像素驱动电路的工作状态：向所述像素驱动电路的一端提供第一低电平信号，同时向所述像素驱动电路的另一端提供第二低电平信号，定义所述驱动电路的工作状态发生改变时对应的为0时刻，在0到tn时间段内，探测所述第二探测点s在0时刻的电压值V0，探测所述第二探测点s在t1时刻的电压值Vt1，生成在任意一时刻所述第二探测点s的电压值Vn(t)，且所述第一探测点g与所述第二探测点s之间的电压值Vgs；其中，

S103：根据所述像素驱动电路内对应的薄膜晶体管的参数值以及所述电压值Vn(t)、Vgs，生成所述像素驱动电路所需要补偿的电压值δV，所述薄膜晶体管为n型薄膜晶体管，其中，

其中，x为薄膜晶体管的迁移率的变化量，y为薄膜晶体管的阈值电压的变化量，β为对应的发光二极管发光时数据写入的转化率，Vth为薄膜晶体管的阈值电压；Vgs0、δV0、Vth0分别代表在0时刻下薄膜晶体管在第一探测点g与第二探测点s之间的电压值、补偿电压、阈值电压；L0和L1分别对应两不同时刻的亮度值。

2.根据权利要求1所述的驱动电路的补偿电压计算方法，其特征在于，所述第一探测点g与所述第二探测点s之间的电压值Vgs＝V1-V2。

3.根据权利要求1所述的驱动电路的补偿电压计算方法，其特征在于，所述步骤S102中，在0时刻，所述第二探测点s的电流为I0，所述电压值Vn(t)与所述电流I0成正比。

4.根据权利要求1所述的驱动电路的补偿电压计算方法，其特征在于，所述步骤S103中，所述参数值包括薄膜晶体管的工作电流、发光二极管发光的亮度以及所述驱动电路对应的发光二极管发光时数据写入的转化率。

5.根据权利要求1所述的驱动电路的补偿电压计算方法，其特征在于，所述步骤S100中，所述像素驱动电路包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一探测点g，所述第一薄膜晶体管的漏极连接电源电压线，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第二探测点s和发光二极管的一端；

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极连接第一控制信号线，所述第二薄膜晶体管的源极连接数据信号线，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一探测点g和所述第一薄膜晶体管的栅极；

第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述第二探测点s和所述发光二极管的一端，所述第三薄膜晶体管的栅极连接第二控制信号线，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述外部侦测电路的一端；

电容，所述电容的一端与所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的漏极连接，所述电容的另一端与所述第一薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的源极和所述发光二极管的一端连接。

6.根据权利要求5所述的驱动电路的补偿电压计算方法，其特征在于，所述外部侦测电路包括第一开关、第二开关和多个电容，所述第一开关的一端与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，所述第二开关的一端与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，所述第一开关的另一端与第一电压信号线连接，所述第二开关的另一端与第二电容并联。

7.根据权利要求5所述的驱动电路的补偿电压计算方法，其特征在于，探测所述第一探测点g和所述第二探测点s的初始电位V1和V2时，所述第一控制信号线、所述第二控制信号线和第一电压信号线传输高电平信号，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管开启。