[发明专利]一种高频IMPATT二极管台面管芯结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110041251.4 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112635575B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 潘结斌;陈婧瑶;吕东锋;李文翰;史一明;李泽瑞 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L29/864 | 分类号： | H01L29/864;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高频 impatt 二极管 台面 管芯 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频IMPATT二极管台面管芯结构的制备方法，IMPATT二极管台面管芯结构包括p+导电基底，p+导电基底顶面设有台面管芯pn结，所述台面管芯中央设有竖直的通孔，使台面管芯形成环形圆台状，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在n+硅晶圆片上生长n型外延层、p型外延层及p+外延层；
S2、对n型外延层掺杂施主杂质，p外延层掺杂受主杂质；
S3、在p+外延层表面制备p+电极增强层；
S4、对n+硅晶圆片进行减薄；
S5、在n+硅晶圆片的减薄面制备n+电极增强层；
S6、按照台面管芯设计图形，通过光刻、腐蚀工艺，由n+电极增强层向p+外延层腐蚀，得到所述的高频IMPATT二极管台面管芯结构。
2.根据权利要求1所述的一种高频IMPATT二极管台面管芯结构，其特征在于，所述通孔下部的孔径由上至下渐缩。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东光电集成器件研究所，未经华东光电集成器件研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110041251.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
