[发明专利]MLC NAND的数据备份方法、装置及闪存系统

说明书

本发明涉及存储器技术领域，公开了一种MLC NAND的数据备份方法、装置及闪存系统，其备份方法包括：接收待写入MLC NAND闪存的数据；若接收到第一指令、第二指令或第三指令至少之一，则将备份标志位设置为有效位，其中，第一指令为确保数据安全的指令，第二指令为将所述数据写入MLC当前存储块以外的其他存储块的指令，第三指令为申请新存储块的指令。本发明至少具有以下有益效果：实现只需备份少量LSB page的数据就能够保证MLC NAND储存的数据不会因为异常掉电而丢失或者产生数据不一致的问题，确保了NAND设备的可靠性。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种MLC NAND的数据备份方法、装置及闪存系统。

背景技术

在NAND Flash的技术演进中，出现了SLC NAND、MLC NAND、TLC NAND、QLC NAND等不同类型的NAND Flash，这些类型的NAND Flash存在各自的物理操作特性。这些物理操作特性会影响到FTL(闪存转换层)中的操作策略。

MLC NAND中一个存储cell(存储单元)中储存2个bit数据，这种物理架构就决定了MLC NAND的一个wordline(字线)中存在LSB page和MSB page 两个配对页。在编程的时候，先编程LSB page，后编程MSB page，并且MSB page 的编程是在LSB page已经完成的编程基础上实现的，这样，当MSB page在编程的时候出现异常掉电的情况，MSB page无法完成编程，出现数据错误，而且 cell中存储的电压已经发生了改变，也影响到了存储在同一个cell中对应于LSB page中bit，即LSB page的数据也同样受到了破坏。通常，同一个wordline中的两个配对页不是同时编程的，真实的编程顺序中，LSB page和MSB page之间还间隔着其他wordline的page的编程。假如LSB page因为MSB page编程过程中遇到异常掉电而产生破坏，就会造成数据丢失，并且出现数据一致性的问题。

针对这个问题，现有技术的做法是在编程MSB page前，先把其对应的LSB page的数据备份到另外一个block，这样即使在编程MSB page时出现异常掉电，也不会影响LSBpage原来存储的数据，数据的安全性得到了保证。现有技术中，需要备份所有的LSB page的数据，极大的消耗了性能和寿命。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种MLCNAND的数据备份方法，能够在保证NAND Flash数据安全性的同时提升了 NAND Flash设备的使用寿命。

本发明还提出一种具有上述MLC NAND的数据备份方法的MLC NAND的数据备份装置。

本发明还提出一种具有上述MLC NAND的数据备份方法的闪存系统。

根据本发明的第一方面实施例的MLC NAND的数据备份方法，包括以下步骤：接收待写入MLC NAND闪存的数据；若接收到第一指令、第二指令或第三指令至少之一，则将备份标志位设置为有效位，其中，所述第一指令为确保所述数据安全的指令，所述第二指令为将所述数据写入MLC当前存储块以外的其他存储块的指令，所述第三指令为申请新存储块的指令。

根据本发明的一些实施例，还包括：对所述MLC NAND闪存执行写数据之前，判断所述备份标志位是否为1；若所述备份标志位为1，则备份MSB page对应的 LSB page中的数据，备份操作完成后，将所述备份标志位置为无效位。

根据本发明的一些实施例，还包括：对所述MLC NAND闪存执行写数据之前，判断所述备份标志位是否为1；若所述备份标志位为1，则备份MSB page对应的 LSB page中的数据至SLC当前存储块，备份操作完成后，将所述数据写入MSB page 页；若所有需要备份的LSBpage的数据均已经完成备份，则设置所述备份标志位为无效位。