[发明专利]用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物及激光切割工艺

权利要求书

1.一种用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于，主要包括下述按该保护液膜组合物总质量计的下述各组分：能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物5-30wt.%、冷却剂5-50wt.%、润湿剂0.01-2.0wt.%、消泡剂0.01-1.0wt.%和余量水；

其中，所述能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物为聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇中的至少一种；或者为聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇中的至少一种和四氢呋喃的混合物；

所述冷却剂为乙二醇和丙三醇中的至少一种；

所述聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为8000-15000，所述聚乙二醇为PEG11000，或者为PEG400和PEG11000。

2.根据权利要求1所述的用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于：所述润湿剂为阳离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂、非离子型水溶性表面活性剂和两性型表面活性剂中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于：所述润湿剂为聚氧乙烯醚、十二烷基硫酸钠、聚乙二醇单甲醚、聚醚改性烷基硅氧烷、聚醚改性聚烷基硅氧烷、聚醚改性羟基官能团的聚二甲基硅氧烷、聚醚-聚酯改性羟基聚烷基硅氧烷和脂肪醇聚氧乙烯醚中的至少一种。

4.一种半导体激光切割工艺，其特征在于，主要在于包括下述步骤：

S1，在待切割半导体元件上涂覆权利要求1至权利要求3任一项所述保护液膜组合物，在半导体元件表面形成保护液膜；

S2，使用激光透过保护液膜对该半导体元件进行激光烧蚀切割并诱导产生超临界液体，从而在半导体元件上形成切割道；

S3，将完成切割的半导体元件使用纯水冲洗干净后进行干燥。

5.根据权利要求4所述的半导体激光切割工艺，其特征在于：步骤S2中所使用激光的能量不小于5μJ，且该激光的重复频率为100-400kHz，波长为355nm-1064nm，该激光的切割速度50-400mm/s。