[发明专利]一种磁控溅射设备有效
申请号: | 202110040061.0 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN112877662B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 黄旭 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁控溅射 设备 | ||
1.一种磁控溅射设备,其特征在于,所述磁控溅射设备包括:
溅射室;
阴极部,设置于所述溅射室内;
阳极部,设置于所述溅射室内;
磁极部,包括极性相反的第一磁极和第二磁极,以在所述阴极部和所述阳极部之间形成电子偏转磁场;以及
供气部,与所述溅射室连通以提供工艺气体;
其中,当进行溅射操作时,所述阴极部与所述阳极部相对且平行设置,在所述阴极部与所述阳极部之间的区域内,靠近所述阳极部的区域的工艺气体浓度高于靠近所述阴极部的区域的工艺气体浓度。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备,其特征在于,当进行溅射操作时,在所述阳极部指向所述阴极部的方向上,所述阳极部与所述阴极部之间的区域的工艺气体浓度呈阶梯式递减。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述供气部包括设置于所述溅射室上的多个供气口,当进行溅射操作时,在所述阳极部指向所述阴极部的方向上,所述多个供气口的工艺气体流量呈阶梯式递减。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射设备,其特征在于,当进行溅射操作时,在所述阳极部指向所述阴极部的方向上,所述供气口的横截面面积呈阶梯式递减。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述供气部包括设置于所述溅射室上的多个供气口,所述多个供气口划分为具有第一横截面面积的第一供气口,以及具有第二横截面面积的第二供气口,且所述第一横截面面积大于所述第二横截面面积;当进行溅射操作时,所述第一供气口靠近所述阳极部。
6.根据权利要求1至5任一项中所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述阴极部包括:
阴极板;以及
靶材,设置于所述阴极板上。
7.根据权利要求6所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述磁极部与所述阴极部相邻设置。
8.根据权利要求1至5任一项中所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述阳极部包括:基台,用于承载待溅射的基板。
9.根据权利要求8所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述磁控溅射设备还包括:驱动组件,与所述基台驱动连接以带动所述基台移动。
10.根据权利要求1至5任一项中所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述磁控溅射设备还包括:真空抽气系统,与所述溅射室连通;所述真空抽气系统包括气泵和抽气口,所述抽气口设置于所述溅射室上,并且所述气泵和所述抽气口相连通。
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