[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在半导体堆叠结构(100)的上表面形成掩模层(300)，在掩模层(300)上方形成光阻层(400)；

S2.通过曝光显影处理，在光阻层(400)上形成第一开口结构(410)；

S3.通过湿法刻蚀，在掩模层(300)中形成第二开口结构(310)，所述第二开口结构(310)位于第一开口结构(410)的下方，且所述第二开口结构(310)的宽度大于第一开口结构(410)的宽度；

S4.以光阻层(400)为掩模，利用干法等离子体刻蚀方式刻蚀半导体堆叠结构(100)，在半导体堆叠结构(100)中形成凹槽结构(500)；

S5.对凹槽结构(500)的底部和侧壁进行氧化处理，在凹槽结构(500)的底部和侧壁形成钝化层(600)；

S6.去除光阻层(400)，以掩模层(300)为掩模进行离子注入，在凹槽结构(500)的侧壁和底部的外周形成高阻区(700)；

S7.去除掩模层(300)，在凹槽结构(500)的开口形成绝缘覆盖层(800)，所述绝缘覆盖层(800)封闭凹槽结构(500)的开口，以使凹槽结构(500)内部形成空气间隙(900)。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述步骤S7中，通过快速沉积或旋涂工艺形成所述绝缘覆盖层(800)。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体堆叠结构(100)包括位于其上表面的上电极(210)和位于其下表面的下电极(220)，所述掩模层(300)的厚度大于所述上电极(210)的厚度，以使所述掩模层(300)覆盖所述上电极(210)。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述步骤S6中，注入的离子包括氩、氦、氧和氮离子中的一种或多种。