[发明专利]一种导电、屏蔽、散热复合材料

说明书

本发明涉及一种导电、屏蔽、散热复合材料，包括有第一超薄电解铜箔、第一导电胶膜、人工石墨、第二导电胶膜与第二超薄电解铜箔，所述第一超薄电解铜箔与第一导电胶膜底端固定粘接，且第一导电胶膜与人工石墨底端固定粘接，所述人工石墨与第二导电胶膜底端固定粘接。本发明通过该复合结构为上下两层超薄电解铜箔，使用导电胶膜100％粘合后，中间层局部覆合人工石墨，底部覆合导电胶膜，中间为局部覆合石墨确保维持铜箔原始极佳导电性能，同时具有更好的散热和屏蔽信号的功能，改变以往复合材料影响铜箔导电速度，制备氧化石墨烯前驱体溶液的步骤与传统Hummers法相比，省略了干燥步骤，更为便捷，提高生产效率，在电催化领域有很好的应用前景。

技术领域

本发明涉及一种导电、屏蔽、散热复合材料，属于电解铜箔技术领域。

背景技术

电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)、锂离子电池制造的重要的材料，在当今电子信息产业高速发展中，电解铜箔被称为电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”，作为PCB的基板材料，覆铜板我国成为世界上第三大生产国，由此也使我国的电解铜箔产业在近几年有了突飞猛进的发展，电解铜箔生产主要工序有溶液生箔、表面处理和产品分切。

现有的导电、屏蔽、散热复合材料，在其使用的过程中，散热效果慢，易造成装置软化，不具备很好的屏蔽信号功能，且导电效果不理想，为此我们提出一种导电、屏蔽、散热复合材料。

发明内容

本发明要解决的技术问题克服现有的导电、屏蔽、散热复合材料，在其使用的过程中，散热效果慢，易造成装置软化，不具备很好的屏蔽信号功能，且导电效果不理想的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

一种导电、屏蔽、散热复合材料，包括有第一超薄电解铜箔、第一导电胶膜、人工石墨、第二导电胶膜与第二超薄电解铜箔，所述第一超薄电解铜箔与第一导电胶膜底端固定粘接，且第一导电胶膜与人工石墨底端固定粘接，所述人工石墨与第二导电胶膜底端固定粘接，且第二导电胶膜与第二超薄电解铜箔底端固定粘接；

至少使作为阴极的所述等离子体表面处理后的铜箔、阳极与电解液共同构建电化学反应体系，其中，所述电解液包括硫酸钠、十二烷基三甲氧基硅烷、酸溶液的混合液、铜离子、硬脂酸和盐酸的混合液。

进一步而言，所述第一超薄电解铜箔与第二超薄电解铜箔横截面积相同，且第一超薄电解铜箔与第二超薄电解铜箔中轴线相重叠。

进一步而言，所述第二导电胶膜与第一超薄电解铜箔横截面积相同，且第二导电胶膜与第一超薄电解铜箔中轴线相重叠。

进一步而言，所述第一导电胶膜与人工石墨横截面积相同，且第一导电胶膜与人工石墨中轴线相重叠。

进一步而言，所述硬脂酸与水混合呈硬脂酸溶液，所述硬脂酸溶液中加入铜离子和盐酸，将十二烷基三甲氧基硅烷与硬脂酸溶液混合，并于4-70℃水解5h，加入硫酸钠，得到所述电解液。

进一步而言，所述硬脂酸溶液的浓度为0.03-3g/L；所述方法包括：将铜离子和盐酸加入温度为30-100℃的硬脂酸溶液。

进一步而言，所述电解液中硫酸钠的浓度为0.2-20g/L，所述电解液的pH值为3.5-4.0。

进一步而言，所述第一导电胶膜的厚度为3nm-10μm，所述第二导电胶膜的厚度为3nm-10μm。

进一步而言，所述人工石墨的聚酰亚胺复合薄膜置于真空条件下升温至400～700℃，保温三次以上，每次保温的时间≥1h，之后继续升温至不高于2000℃，完成碳化处理，得到碳化后的聚酰亚胺薄膜，所述得碳化后的聚酰亚胺薄膜在氮气保护下升温至2800℃以上进行石墨化处理，得到人工石墨膜。

本发明的技术效果和优点：