[发明专利]一种基于高熵氧化物的热敏电阻及其制备方法在审
| 申请号： | 202110034520.4 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112802648A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王军华;姚金城;王兵;孔雯雯;常爱民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化物 热敏电阻 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于高熵氧化物的负温度系数热敏电阻，其特征在于所述热敏电阻是由钴、锰、镍、铁、锌五种元素组成，具体操作按下列步骤进行：
a、按 Co:Mn:Fe:Ni:Zn=1:1:1:1:1准确称取四氧化三锰、四氧化三钴、氧化镍、三氧化二铁和氧化锌，放入球磨罐中，加入溶剂体积比为1:1的去离子水和无水乙醇，球磨罐放置在行星式球磨机内，研磨10小时，得到混合物；
b、将步骤a中的混合物，放在温度85℃烘箱内烘干，然后在温度1000-1150℃下恒温10h-20h，使其熔融为单一尖晶石结构的高熵氧化物粉体材料；
c、将步骤b中得到的高熵氧化物粉体材料在行星式球磨机内二次研磨10h，干燥，获得粉体；
d、将步骤c中得到的粉体进行预压成型，然后进行等静压，其压强控制在350Mpa并保持其压强5min；
e、将步骤d得到的等静压后的块体，在温度1150-1250℃烧结4-8小时，然后将烧结的块体切成厚度为0.23mm的薄片， 清洗干净后在温度1100℃下热处理2h，再于薄片正反两面涂覆电极浆料，并在高温下烧渗15分钟，获得带有电极的热敏陶瓷薄片；
f、将步骤e中的陶瓷薄片切割成尺寸为0.5×0.5mm，再将芯片进行超薄绝缘封装，即得到电阻值为6.5-12KΩ·cm材料常数B值为3580–3800 K的高熵氧化物的负温度系数热敏电阻。
2.一种基于高熵氧化物的负温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于按下列步骤进行：
a、按 Co:Mn:Fe:Ni:Zn=1:1:1:1:1准确称取四氧化三锰、四氧化三钴、氧化镍、三氧化二铁和氧化锌，放入球磨罐中，加入溶剂体积比为1:1的去离子水和无水乙醇，球磨罐放置在行星式球磨机内，研磨10小时，得到混合物；
b、将步骤a中的混合物，放在温度85℃烘箱内烘干，然后在温度1000-1150℃下恒温10h-20h，使其熔融为单一尖晶石结构的高熵氧化物粉体材料；
c、将步骤b中得到的高熵氧化物粉体材料在行星式球磨机内二次研磨10h，干燥，获得粉体；
d、将步骤c中得到的粉体进行预压成型，然后进行等静压，其压强控制在350Mpa并保持其压强5min；
e、将步骤d得到的等静压后的块体，在温度1150-1250℃烧结4-8小时，然后将烧结的块体切成厚度为0.23mm的薄片， 清洗干净后在温度1100℃下热处理2h，再于薄片正反两面涂覆电极浆料，并在高温下烧渗15分钟，获得带有电极的热敏陶瓷薄片；
f、将步骤e中的陶瓷薄片切割成尺寸为0.5×0.5mm，再将芯片进行超薄绝缘封装，即得到电阻值为6.5-12KΩ·cm材料常数B值为3580–3800 K的高熵氧化物的负温度系数热敏电阻。
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